可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 動態特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分。安徽進口SEMIKRON西門康IGBT模塊廠家直銷

    TC=℃）------通態平均電流VTM=V-----------通態峰值電壓VDRM=V-------------斷態正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA------------反向重復峰值電流IGT=mA------------門極觸發電流VGT=V------------門極觸發電壓執行標準：QB-02-091．晶閘管關斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產生過電壓。由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，在關斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致晶閘管反向擊穿。這就是關斷過電壓（換相過電壓）。數值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側過電壓及其保護由于交流側電路在接通或斷開時出現暫態過程，會產生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經電容耦合到次級，出現瞬時過電壓。 青海哪里有SEMIKRON西門康IGBT模塊哪家好IGBT的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。

    公共柵極單元100與第1發射極單元101和第二發射極單元201之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設有工作區域10和電流檢測區域20的公共集電極單元200；接地區域30則設置于第1發射極單元101內的任意位置處；電流檢測區域20和接地區域30分別用于與檢測電阻40連接，以使檢測電阻40上產生電壓，并根據電壓檢測工作區域10的工作電流。具體地，工作區域10和電流檢測區域20具有公共柵極單元100和公共集電極單元200，此外，電流檢測區域20還具有第二發射極單元201和第三發射極單元202，檢測電阻40則分別與第二發射極單元201和接地區域30連接。此時，在電流檢測過程中，工作區域10由公共柵極單元100提供驅動，以使公共集電極單元200上的電流ic通過第二發射極單元201達到檢測電阻40，從而可以在檢測電阻40上產生測試電壓vs，進而可以根據該測試電壓vs檢測工作區域10的工作電流。因此，在上述電流檢測過程中，電流檢測區域20的第二發射極單元201相當于沒有公共柵極單元100提供驅動，即對于igbt芯片的電子和空穴兩種載流子形成的電流，電流檢測區域20的第二發射極單元201只獲取空穴形成的電流作為檢測電流，從而避免了檢測電流受公共柵極單元100的電壓的影響。

    igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。目錄1特點2應用3注意事項4發展趨勢IGBT功率模塊特點編輯igbt功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優點于一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，近西門子公司又推出低飽和壓降（）的npt-igbt性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦己在開發研制新品種。IGBT功率模塊應用編輯igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例，單個元件電壓可達（pt結構）一（npt結構），電流可達。IGBT功率模塊注意事項編輯a,柵極與任何導電區要絕緣，以免產生靜電而擊穿。 IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。

    同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IGBT芯片技術的不斷發展，芯片的高工作結溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術也要與之相適應。未來IGBT模塊技術將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進。模塊技術發展趨勢：無焊接、無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術；內部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅動電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。IGBT的主要應用領域作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應用于工業、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天、等傳統產業領域，以及軌道交通、新能源、智能電網、新能源汽車等戰略性新興產業領域。1）新能源汽車IGBT模塊在電動汽車中發揮著至關重要的作用，是電動汽車及充電樁等設備的技術部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近10%，占充電樁成本約20%。IGBT主要應用于電動汽車領域中以下幾個方面：A）電動控制系統大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅動汽車電機。 MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。青海哪里有SEMIKRON西門康IGBT模塊哪家好

在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內，Id與Ugs呈線性關系。安徽進口SEMIKRON西門康IGBT模塊廠家直銷

    該電場會阻止P區空穴繼續向N區擴散。倘若我們在發射結添加一個正偏電壓（p正n負），來減弱內建電場的作用，就能使得空穴能繼續向N區擴散。擴散至N區的空穴一部分與N區的多數載流子——電子發生復合，另一部分在集電結反偏（p負n正）的條件下通過漂移抵達集電極，形成集電極電流。值得注意的是，N區本身的電子在被來自P區的空穴復合之后，并不會出現N區電子不夠的情況，因為b電極（基極）會提供源源不斷的電子以保證上述過程能夠持續進行。這部分的理解對后面了解IGBT與BJT的關系有很大幫助。MOSFET：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，簡稱場效晶體管。內部結構（以N-MOSFET為例）如下圖所示。MOSFET內部結構及符號在P型半導體襯底上制作兩個N+區，一個稱為源區，一個稱為漏區。漏、源之間是橫向距離溝道區。在溝道區的表面上，有一層由熱氧化生成的氧化層作為介質，稱為絕緣柵。在源區、漏區和絕緣柵上蒸發一層鋁作為引出電極，就是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。上節我們提到過一句，MOSFET管是壓控器件，它的導通關斷受到柵極電壓的控制。我們從圖上觀察，發現N-MOSFET管的源極S和漏極D之間存在兩個背靠背的pn結，當柵極-源極電壓VGS不加電壓時。 安徽進口SEMIKRON西門康IGBT模塊廠家直銷