可控硅(SCR是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點，被用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比，單向可控硅正向導通受控制極電流控制；與具有兩個PN結的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導通狀態。另外，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通。可控硅關斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下。反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。哪里有Mitsubishi三菱可控硅模塊工廠直銷

    金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。(五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。雙向可控硅封裝形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。雙向可控硅構造原理編輯盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。典型產品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V)，MAC218-10(8A/800V)等。大功率雙向可雙向可控硅控硅大多采用RD91型封裝。雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩個電極統稱為主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之。山西好的Mitsubishi三菱可控硅模塊供應可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備。

    取一個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅產品的型號命名，典型的生產商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。型號如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如：三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；ST公司所有產品型號的后綴字母(型號后一個字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等。至于型號后綴字母的觸發電流，各個廠家的含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發電流母沒有統一的定義。

    AV)--通態平均電流VDRM--通態重復峰值電壓VRRM--反向重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IDRM--斷態重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流VTM--通態峰值電壓Tjm--額定結溫VGT--門極觸發電壓VISO--模塊絕緣電壓IH--維持電流Rthjc--結殼熱阻IGT--門極觸發電流di/dt--通態電流臨界上升率ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率雙向可控硅伏安特性編輯雙向可控硅反向特性當控制極開路，陽極加上反向電壓時，J2結正偏，但J1、J3結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控硅會發生反向。雙向可控硅正向特性當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓，由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合，同樣。應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致。

    可控硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。中文名可控硅外文名SiliconControlledRectifier簡寫SCR別稱晶閘管屬性化工術語目錄1結構2工作原理?結構原件?晶閘管特性?晶閘管特點?應用類型3特性4分類5可控硅型號6主要參數7封裝形式8用途9鑒別?電壓測方法?測量方法10主要生產廠家11術語12延伸閱讀可控硅結構編輯大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘可控硅管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a）〕：一層P型半導體引出的電極叫陽極A。可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區。上海優勢Mitsubishi三菱可控硅模塊供應

實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。哪里有Mitsubishi三菱可控硅模塊工廠直銷

    在額定結溫下對應于斷態不重復峰值電壓下的平均漏電流。AVTOOnstatethresholdvoltage門檻電壓-VIT(RMS)On-StateRMSCurrent(fullsinewave)通態電流均方值AITSMNon-RepetitivePeakon-stateCurrent通態浪涌電流(通態不重復峰值電流)浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結溫超過額定結溫的不重復性大正向過載電流。浪涌電流有上下兩個級，這個參數可用來作為設計保護電路的依據。AIGMForwardPeakGateCurrent門極峰值電流-AI2TCircuitFusingConsideration周期電流平方時間積-A2sesdIT/dtRepetitiverateofriseofon-statecurrentaftertriggering(IGT1~IGT3)通態臨界電流上升率當雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發下導通，門極臨近處立即導通，然后迅速擴展至整個有效面積。這遲后的時間有一個極限，即負載電流上升率的許可值。過高的dIT/dt可能導致局部燒毀，并使T1-T2短路。假如過程中限制dIT/dt到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。因此，假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出或導通時的dIT/dt有可能被超出，可在負載上串聯一個幾μH的不飽和（空心）電感。哪里有Mitsubishi三菱可控硅模塊工廠直銷