可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導體模塊時間1970年目錄1分類2優點3規格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。可控硅模塊優點編輯體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發展。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。遼寧Mitsubishi三菱可控硅模塊供應商

    進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合，雪崩擊穿，進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部復合掉，這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性。這時J1、J2、J3三個結均處于正偏，可控硅便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與普通的PN結正向特性相似。雙向可控硅檢測方法編輯DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器利用萬用表RXl檔判定雙向可控硅電極的方法，同時還檢查觸發能力。判定T2極G極與T1極靠近，距T2極較遠。因此，G—T1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測任意兩腳之間的電阻時，只有在G-T1之間呈現低阻，正、反向電阻幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2極。另外，采用TO—220封裝的雙向可控硅，T2極通常與小散熱板連通，據此亦可確定T2極。區分G極和T1極(1)找出T2極之后，首先假定剩下兩腳中某一腳為Tl極，另一腳為G極。(2)把黑表筆接T1極，紅表筆接T2極，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G極加上負觸發信號，電阻值應為十歐左右。遼寧Mitsubishi三菱可控硅模塊供應商在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。

    AV)--通態平均電流VDRM--通態重復峰值電壓VRRM--反向重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IDRM--斷態重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流VTM--通態峰值電壓Tjm--額定結溫VGT--門極觸發電壓VISO--模塊絕緣電壓IH--維持電流Rthjc--結殼熱阻IGT--門極觸發電流di/dt--通態電流臨界上升率ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率雙向可控硅伏安特性編輯雙向可控硅反向特性當控制極開路，陽極加上反向電壓時，J2結正偏，但J1、J3結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控硅會發生反向。雙向可控硅正向特性當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓，由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合，同樣。

    可以大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。規則8.若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負載上好串聯一個幾μH的無鐵芯電感，或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。規則9.器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。規則10.為了長期可靠工作，應保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax,其值相應于可能的環境溫度。雙向可控硅典型應用編輯雙向晶閘管可用于工業、交通、家用電器等領域，實現交流調壓、電機調速、交接近開關電路流開關、路燈自動開啟與關閉、溫度控制、臺燈調光、舞臺調光等多種功能，它還被用于固態繼電器(SSR)和固態接觸器電路中。圖5是由雙向晶閘管構成的接近開關電路。R為門極限流電阻，JAG為干式舌簧管。平時JAG斷開，雙向晶閘管TRIAC也關斷。當小磁鐵移近時JAG吸合，使雙向晶閘管導通，將負載電源接通。由于通過干簧管的電流很小，時間幾微秒，所以開關的壽命很長。現在可控硅應用市場相當廣闊，可控硅應用在自動控制領域，機電領域，工業電器及家電等方面都有可控硅的身影。告訴記者，他目前的幾個大單中還有用于卷發產品的單。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

    j-a)ThermalResistanceJunction-to-ambient熱阻-結到環境-℃/WIGTTriggeringgatecurrent門極觸發電流為了使可控硅可靠觸發，觸發電流Igt選擇25度時max值的α倍，α為門極觸發電流—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常選型時α取大于。mAIHHoldingCurrent維持電流維持可控硅維持通態所必需的小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。mAILLatchingCurrent(IGT3)接入電流(第三象限)/擎住電流擎住電流是晶閘管剛從斷態轉入通態并移除觸發信號后，能維持導通所需的小電流。對同一晶閘管來說，通常IL約為IH的2--4倍。mAIDOff-stateleakagecurrent斷態漏電流-mAVGTTriggeringgatevoltage門極觸發電壓—可以選擇Vgt25度時max值的β倍。β為門極觸發電壓—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常選擇時β取1~。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。哪里有Mitsubishi三菱可控硅模塊代理商

額定通態電流（IT）即比較大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。遼寧Mitsubishi三菱可控硅模塊供應商

    就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。2：大率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。可控硅調壓調速原理小功率分體機室內風機目前用的是PG調速塑封電機，為單向異步電容運轉電動機。為了滿足空調正常的運轉，達到制冷、制熱能力的平衡，所以必須保證室內風機的轉速滿足系統的要求，并保持轉速的穩定。因此采用可控硅調壓調速的方法來調節風機的轉速。1.電路原理圖2.工作原理簡介可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電動機端電壓的波形，從而改變電動機端電壓的有效值，達到調速的目的。當可控硅導通角α1=180°時，電動機端電壓波形為正弦波。遼寧Mitsubishi三菱可控硅模塊供應商