雙向可控硅介紹“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發展而成的，它能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且需一個觸發電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。兩極雙向可控硅用萬用表測量好壞方法一：測量極間電阻法。將萬用表置于皮R&TImes;1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R&TImes;10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之，若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；如果測得T1－G之間的正反向電阻很大（接近∞）時，說明控制極G與主電極T1之間內部接觸不良或開路損壞，也不能使用。方法二：檢查觸發導通能力。萬用表置于R&TImes;10檔：①如圖，1（a）所示，用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開，如果表頭指針發生了較大偏轉并停留在一固定位置，說明雙向可控硅中的一部分（其中一個單向可控硅）是好的，如圖1（b）所示，改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。上海英飛凌可控硅現貨

    中文名單向可控硅外文名SCR:SiliconControlledRectifier別名可控硅整流器性質電子元件目錄1結構控制2對比3引腳區分4性能檢測5單向和雙向可控硅的區分單向可控硅結構控制編輯單向可控硅為具有三個PN結的四層結構，由外層的P層、N層引出兩個電極――陽極A和陰極K，由中間的P層引出控制極G。電路符號好像為一只二極管，但好多一個引出電極――控制極或觸發極G。SCR或MCR為英文縮寫名稱。從控制原理上可等效為一只PNP三極管和一只NPN三極管的連接電路，兩管的基極電流和集電極電流互為通路，具有強烈的正反反饋作用。一旦從G、K回路輸入NPN管子的基極電流，由于正反饋作用，兩管將迅即進入飽合導通狀態。可控硅導通之后，它的導通狀態完全依靠管子本身的正反饋作用來維持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導通狀態。控制信號UGK的作用是觸發可控硅使其導通，導通之后，控制信號便失去控制作用。單向可控硅的導通需要兩個條件：1）A、K之間加正向電壓；2）G、K之間輸入一個正向觸發電流信號，無論是直流或脈沖信號。若欲使可控硅關斷，也有兩個關斷條件：1）使正向導通電流值小于其工作維持電流值；2）使A、K之間電壓反向。可見，可控硅器件若用于直流電路。上海英飛凌可控硅現貨它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的。

    電源電壓為反向電壓，加上感性負載自感電動勢el作用，使得雙向可控硅承受的電壓值遠遠超過電源電壓。雖然雙向可控硅反向導通，但容易擊穿，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯一個RC阻容吸收電路，實現雙向可控硅過電壓保護，圖3中的C2、R8為RC阻容吸收電路。雙向可控硅結構原理圖雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構成的功率集成器件。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩個電極統稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時，T1變成陽極，T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向導通。相比于單向可控硅，雙向可控硅在原理上大的區別就是能雙向導通，不再有陽極陰極之分，取而代之以T1和T2，其結構示意圖如下圖2（a）所示，如果不考慮G級的不同，把它分割成圖2（b）所示，可以看出相當于兩個單向可控硅反向并聯而成，如圖2（c）所示連接。

    可控硅基礎知識環昕微可控硅基礎知識，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴。在P型半導體中空穴是多數載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數載流子，由熱激發形成。空穴很容易俘獲電子，使雜質原子成為負離子。三價雜質因而也稱為受主雜質。，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導體中自由電子是多數載流子，它主要由雜質原子提供；空穴是少數載流子,由熱激發形成。提供自由電子的五價雜質原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質原子也稱為施主雜質。在P型半導體和N型半導體結合后，由于N型區內電子很多而空穴很少，而P型區內空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差別。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。于是，有一些電子要從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子,N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區，就是所謂的PN結。4.單向可控硅介紹（1）4.單向可控硅介紹。允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

    [1]可控硅開關特點及應用編輯可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。[2]可控硅開關鑒別硅電極編輯普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結(a)，相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發光就是好的，不發光就是壞的。[3]鑒別原理鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。它只有導通和關斷兩種狀態。上海英飛凌可控硅現貨

這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。上海英飛凌可控硅現貨

    陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。[3]鑒別注意事項控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。[3]若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。[3]可控硅開關封裝形式品牌編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。[2]可控硅的主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN，SEMIKRON，EUPEC，IR等。上海英飛凌可控硅現貨