黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞[3]。當這個電壓增加等于轉折電壓UBO時，左邊的可控硅就觸發導通，這時的通態電流為I21，方向是從T2流向Tl。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷

    2）5.雙向可控硅介紹（1）5.雙向可控硅介紹（2）5.雙向可控硅介紹（3）可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由于觸發信號只起觸發作用,沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的.由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化.6.目前產品封裝插件（TO-92，TO-126，TO-202，TO-220，TO-3P，TO-3PS，TO-251,TO-262,SOT-82,TO-202-3,TO-220F,TO-247,TO-247S,RD91,TG-C）貼片（SOT-23，SOT-23-3L,SOT-89，SOT-223，SOT-252。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。

    一旦為觸發信號開通，并保持一定幅度的流通電流的話，則可控硅會一直保持開通狀態。除非將電源開斷一次，才能使其關斷。若用于交流電路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個觸發信號，則一直保持導通，直到電壓過零點到來，因無流通電流而自行關斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發信號，可控硅也因A、K間電壓反向，而保持于截止狀態。可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發電壓、觸發電流值和導通壓降，很難有統一的標準。可控硅器件控制本質上如同三極管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發電流也越大。觸發電壓范圍一般為左右，觸發電流為10mA-幾百mA左右。峰值觸發電壓不宜超過10V，峰值觸發電流也不宜超過2A。A、K間導通壓降為1-2V[1]。單向可控硅對比編輯雙向可控硅雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做一電極T1，另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。

    在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。可控硅主要生產廠家編輯主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN，SEMIKRON，EUPEC，IR，JBL等。可控硅術語編輯IT。第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。

    雙向晶閘管的伏安特性見圖3，由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向導通。從晶閘管的內部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖一，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖二.當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖三所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷

它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷

    交流電路雙向可控硅的觸發常采用過零觸發電路。過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通。由于采用過零觸發，因此上述電路還需要正弦交流電過零檢測電路。1過零檢測電路電路設計如圖1所示，為了提高效率，使觸發脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發脈沖，且觸發脈沖電壓應大于4V，脈沖寬度應大于20us.圖中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導通，產生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中斷0的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，然后發出雙向可控硅的同步觸發信號。過零檢測電路A、B兩點電壓輸出波形如圖2所示。2過零觸發電路電路如圖3所示，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅動器，也屬于光電耦合器的一種，用來驅動雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用，R6為觸發限流電阻，R7為BCR門極電阻，防止誤觸發，提高抗干擾能力。當單片機80C51的，MOC3061導通，觸發BCR導通，接通交流負載。另外，若雙向可控硅接感流負載時，由于電源電壓超前負載電流一個相位角，因此，當負載電流為零時。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷