采用比較常用的NPN三級管S8050和PNP三極管S8550來設(shè)計制作實際的測試電路板(PCB)，如圖5所示。圖6中所標識的T2、T1和G與圖5所示的相同，也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個接線極。利用該模塊電路串入負載接通正或負的直流電源和觸發(fā)信號來測試，所得結(jié)果如圖7所示，在正或負觸發(fā)信號接入前電流表上的指示為0，當正或負觸發(fā)信號接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實驗表明該電路在正負電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號時，其測驗結(jié)果如圖8所示。示波器探針1接觸發(fā)信號，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發(fā)信號為0是，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒有導(dǎo)通，當觸發(fā)信號脈沖到來時，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經(jīng)導(dǎo)通。4結(jié)束語在詳細解讀了雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)之上，設(shè)計了一款以7個三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對管S8050和S8550制作出實驗電路驗證了該電路的正確性。在今后具體運用過程中可以通過對此電路的相關(guān)器件做適當調(diào)整來滿足具體的需求和設(shè)計要求。同時。整流器還用在調(diào)幅(AM)無線電信號的檢波。山東單相整流可控硅

    如It12和It21所示，It12流向是從P2流入經(jīng)N2-P1-N1流出，It21從P1流入經(jīng)N2-P2-N32流出；G極觸發(fā)電流Ig+由P2流入或Ig-從N31流出。下面是所設(shè)計電路在四個象限的觸發(fā)導(dǎo)通工作過程。T2接電源Vt21正極，T1接通電源Vt21負此時當G極接Vg+為正電壓，Q4、Q5、Q6、Q7處于反向截止，Q1的B極和E極之間無正偏壓也處于截止狀態(tài)，Vg+由P2輸入后經(jīng)R3使Q2的B極和E極之間產(chǎn)生正偏電壓而導(dǎo)通，從而促使Q3導(dǎo)通，這時即使撤出Vg+，在電容C1的的作用下，Q2、Q3也仍然能處于導(dǎo)通狀態(tài)，只有當Vt21先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負，Q4、Q5、Q6、Q7同樣處于反向截止狀態(tài)，Q1的B極和E極之間因Vg產(chǎn)生正偏電壓而導(dǎo)通，從而使Q3、Q2導(dǎo)通并得以保持導(dǎo)通狀態(tài)。T1接電源Vt12正極，T2接通負電源Vt12的負極此時G極接Vg為正，Q1因B極和E極之間處于反向偏壓而截止，Q3處于反向截止，Q2因B極和E極之間處于正向偏壓導(dǎo)通而導(dǎo)致Q4、Q7的導(dǎo)通，從而Q6、Q7導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有當Vt12先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負，Q1、Q2、Q3和Q4處于反向截止，Q5的B極和E極之間因Vg而處于正偏導(dǎo)通，從而使Q6導(dǎo)通，繼而Q7、Q6導(dǎo)通并得以保持導(dǎo)通狀態(tài)。3電路制作與實驗驗證為了驗證所設(shè)計電路。山東單相整流可控硅業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制。

    穩(wěn)壓二極管的負極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負極，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1，單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1，所述單向可控硅SCR2的G極連接變壓器B1的輸出端2，所述單向可控硅SCR1的A極和K極分別連接電源輸出端1和電源輸出端2，所述單向可控硅SCR2的A極和K極分別連接電源輸出端2和電源輸出端1。作為推薦，所述電源輸出端1和電源輸出端2分別連接電容C的一端和電阻R的一端，電容C的另一端和電阻R的另一端連接。本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點和效果：單向可控硅分別通過**的光耦進行隔離，提高了單向可控硅的耐受性能，實現(xiàn)負載電壓從零伏到電網(wǎng)全電壓的無級可調(diào)。

    P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過流報警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護:75℃溫度開關(guān)，常閉接點動作時間：<10ms*起動/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結(jié)露海拔高度2000m以下存儲溫度：-30~+60℃其它要求：通風良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器，其**部件采用國外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調(diào)整。現(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成。因為貯存時間ts過長，電路的振蕩頻率將下降，整機的工作電流增大易導(dǎo)致三極管的損壞。

    當T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號（相對于T1、T2所接電源負極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當G極接負觸發(fā)信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導(dǎo)體開關(guān)，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現(xiàn)在能在四個象限來使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的負。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極，G觸發(fā)信號分別接Vg的正、負極。2類雙向可控硅電路設(shè)計在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來設(shè)計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。整流器可以由真空管，引燃管，固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管，汞弧等制成。山東單相整流可控硅

如果把二極管換成可控硅，就可以構(gòu)成可控整流電路。山東單相整流可控硅

    可控硅檢測方法與經(jīng)驗可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點，它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止狀態(tài)相當于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關(guān)。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向。山東單相整流可控硅

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