門極關斷晶閘管的檢測1)判別各電極：門極關斷晶閘管三個電極的判別方法與普通晶閘管相同，即用萬用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個電極，其中一次為低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大。在阻值小的那一次測量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一只引腳即為陽極A。觸發能力和關斷能力的檢測：可關斷晶閘管觸發能力的檢測方法與普通晶閘管相同。檢測門極關斷晶閘管的關斷能力時，可先按檢測觸發能力的方法使晶閘管處于導通狀態，即用萬用表R×1檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路，給G極加上正向觸發信號時，晶閘管被觸發導通，其A、K極間電阻值由無窮大變為低阻狀態。斷開A極與G極的短路點后，晶閘管維持低阻導通狀態，說明其觸發能力正常。再在晶閘管的門極G與陽極A之間加上反向觸發信號，若此時A極與K極間電阻值由低阻值變為無窮大，則說明晶閘管的關斷能力正常，圖7是關斷能力的檢測示意圖。也可以電路來檢測門極關斷晶閘管的觸發能力和關斷能力。電路中，EL為6．3V指示燈(小電珠)，S為轉換開關，VT為被測晶閘管。當開關S關斷時，晶閘管不導通，指示燈不亮。將開關S的K1觸點接通時。 可控硅觸發板用于水泵、風機等軟啟動控制，調速節能控制等。南京逆變器可控硅

    穩壓二極管的負極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結晶體管T2的發射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經由電阻R5連接輸入控制端的負極，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結晶體管T2的發射極b1，單結晶體管T2的發射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1，所述單向可控硅SCR2的G極連接變壓器B1的輸出端2，所述單向可控硅SCR1的A極和K極分別連接電源輸出端1和電源輸出端2，所述單向可控硅SCR2的A極和K極分別連接電源輸出端2和電源輸出端1。作為推薦，所述電源輸出端1和電源輸出端2分別連接電容C的一端和電阻R的一端，電容C的另一端和電阻R的另一端連接。本實用新型與現有技術相比，具有以下優點和效果：單向可控硅分別通過**的光耦進行隔離，提高了單向可控硅的耐受性能，實現負載電壓從零伏到電網全電壓的無級可調。浙江可控硅生產加工可控硅觸發板是通過調整可控硅的導通角來實現電氣設備的電壓電流功率調整的一種移相型的電力控制器。

KY-ZB3型周波觸發器是工業電加熱系統中相當有廣泛應用的SSR信號處理控制器。具有周期過零式（PWM占空比控制）和周波過零式（CYC變周期控制）兩種控制方式。觸發器采用鎖相環同步電路、自動判別相位。可做為單相調功、三相三控、三相兩控過零觸發控制。其優越的周波過零控制使負載電流的通斷是按正弦波均勻分布的。它提高了調節精度和電源的利用效率以及避免了打表針現象，節電效果也十分明顯。主要應用于電阻性負載、溫度加熱控制單元以及各種工業爐等。

    2具體電路實現電路結構框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路，降低了成本。大功率或大電流的穩壓電源，一般采用L－C濾波電路。但是，大電流的濾波電抗器體積大，重量重，價格也較貴，因此，在該穩壓電源的設計中仍采用大電容濾波。線性穩壓器部分仍采用串聯反饋調整型穩壓器原理，構成一個閉環反饋系統。主要包括：調整管，取樣電路，基準電壓源，誤差比較放大器。由于該穩壓電源輸出電流20A，電流很大，所以，為減小調整管功耗，采用并聯形式，在本電源中，調整管用兩個大功率三極管并聯，使每管流過電流為10A左右。這樣，每個管子的功耗不大于40W，減小了調整管功耗。調整管集電極電流為10A左右，因此應采用大功率晶體三極管，選取β＝40～50，這樣，基極電流應達2×0．3A，即600mA。而一般集成運算放大器輸出電流只有幾十毫安級，不能讓比較放大電路的輸出端直接來推動調整管，因此在比較放大電路的輸出端與調整管的基極之間，加入推動級，此處選擇一個小功率三極管，構成復合管的形式。啟動電阻Rc取2k。防振電容C取10μF。在穩壓電路中，基準源是整個穩壓系統工作的參考，穩壓的**終效果取決于基準源的水平。因此，該電源中。在雙變換UPS中，此裝置既為逆變器供電，又給蓄電池充電，故稱為整流器/充電機。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷；實現將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、***科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業電氣及家電等方面都有***的應用。整流器可以由真空管，引燃管，固態矽半導體二極管，汞弧等制成。浙江可控硅生產加工

通常把電流容量在1安以下的器件稱為整流二極管，1安以上的稱為整流器。南京逆變器可控硅

    如It12和It21所示，It12流向是從P2流入經N2-P1-N1流出，It21從P1流入經N2-P2-N32流出；G極觸發電流Ig+由P2流入或Ig-從N31流出。下面是所設計電路在四個象限的觸發導通工作過程。T2接電源Vt21正極，T1接通電源Vt21負此時當G極接Vg+為正電壓，Q4、Q5、Q6、Q7處于反向截止，Q1的B極和E極之間無正偏壓也處于截止狀態，Vg+由P2輸入后經R3使Q2的B極和E極之間產生正偏電壓而導通，從而促使Q3導通，這時即使撤出Vg+，在電容C1的的作用下，Q2、Q3也仍然能處于導通狀態，只有當Vt21先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負，Q4、Q5、Q6、Q7同樣處于反向截止狀態，Q1的B極和E極之間因Vg產生正偏電壓而導通，從而使Q3、Q2導通并得以保持導通狀態。T1接電源Vt12正極，T2接通負電源Vt12的負極此時G極接Vg為正，Q1因B極和E極之間處于反向偏壓而截止，Q3處于反向截止，Q2因B極和E極之間處于正向偏壓導通而導致Q4、Q7的導通，從而Q6、Q7導通并保持導通狀態，只有當Vt12先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負，Q1、Q2、Q3和Q4處于反向截止，Q5的B極和E極之間因Vg而處于正偏導通，從而使Q6導通，繼而Q7、Q6導通并得以保持導通狀態。3電路制作與實驗驗證為了驗證所設計電路。南京逆變器可控硅

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