雙向晶閘管的電極引線不規則，通常G極是在T1極側引出而不是T2極側。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區別的，雙向晶閘管的觸發通常是相對與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構成了一個可控整流電路。

 在一個**基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發脈沖時，可控硅才被觸發導通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發脈沖到來的時間，來進一步調節負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。 在雙變換UPS中，此裝置既為逆變器供電，又給蓄電池充電，故稱為整流器/充電機。山東可控硅訂制

    應用KY-TSC系列投切開關是在三相系統中用來投切電容，和其他投切器相比，該投切開關具有在投切時無涌流，無接觸噪聲以及很高的開關頻率。這些優點是通過觸發電路，晶閘管，二極管，以及一些輔助電路實現。該投切器適合用在負載變化較快的場合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅，觸發電路，吸收電路，散熱片，以及冷卻裝置等元件組成。出點電路在電壓過零前后進行判斷是否輸出控制信號(DC12V)，進而使可控硅進行導通或關斷。觸發電路能夠可靠的保證控制信號的輸出，散熱片的良好的導熱作用以及散熱風機的添加，改善了投切開關的散熱效果。該裝置有內置過溫保護開關，以及控制風機自動運行的溫度開關，從而為安全的運行提供了良好的條件。 單相整流可控硅貨源在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用。其***特點是無噪音,壽命長。

    控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枰唤浻|發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的**小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通。

    采用比較常用的NPN三級管S8050和PNP三極管S8550來設計制作實際的測試電路板(PCB)，如圖5所示。圖6中所標識的T2、T1和G與圖5所示的相同，也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個接線極。利用該模塊電路串入負載接通正或負的直流電源和觸發信號來測試，所得結果如圖7所示，在正或負觸發信號接入前電流表上的指示為0，當正或負觸發信號接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實驗表明該電路在正負電源供電情況下能雙向觸發導通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號時，其測驗結果如圖8所示。示波器探針1接觸發信號，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發信號為0是，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒有導通，當觸發信號脈沖到來時，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經導通。4結束語在詳細解讀了雙向可控硅的內部結構和工作原理的基礎之上，設計了一款以7個三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發的控制電路。利用常用的對管S8050和S8550制作出實驗電路驗證了該電路的正確性。在今后具體運用過程中可以通過對此電路的相關器件做適當調整來滿足具體的需求和設計要求。同時。一臺儀表可以同時控制多臺觸發板。

KY3型電力調整器采用了新設計的KY3-T6S控制板。KY3-T6S控制板是運用數字電路觸發可控硅實現調壓和調功。調壓采用移相控制方式，調功有定周期調功和變周期調功兩種方式。該控制板帶有控制信號自由輸入、同步電路、自動判別相位、缺相保護、上電緩起動、緩關斷、散熱器超溫檢測、恒流恒壓輸出、電流限制、短路保護、過流保護、負載斷線檢測、LED數碼管顯示、MODBUS通訊（硬件接口是RS485）、PROFIBUS通訊、以太網CAN通訊等功能。

該電力調整器可與帶0~5V、0~10V或4~20mA等的智能PID調節器或PLC配套使用，也可**使用手動功能。KY3-T6S電力調整器的負載類型可以是三相阻性負載、感性負載及變壓器負載；負載方式可以是星形中心接地負載、星形中心不接地負載、三角形負載。KY3可廣泛應用于工業電爐的加熱控制、冶金、化工、紡織機械、電解電鍍等領域。 調整器具有軟起動、軟關斷功能，減少對電網的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠。逆導可控硅采購

整流器可以由真空管，引燃管，固態矽半導體二極管，汞弧等制成。山東可控硅訂制

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優點，尤其是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的并聯得到廣泛應用。眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:***，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。山東可控硅訂制

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