從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，優點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕，它是由計算機控制的。所以有了IGBT這種開關，就可以設計出一類電路，通過計算機控制IGBT，把電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負載使用。這類電路統稱變換器。IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見

器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。IGBT驅動器

過流與短路保護是兩個概念，它們既有聯系也有區別。過流大多數是指某種原因引起的負載過載；短路是指橋臂直通，或主電壓經過開關IGBT的無負載回路，它們的保護方法也有一定區別。如過流保護常用電流檢也傳感器，短路保護常通過檢測IGBT飽和壓降，配合驅動電路來實現。不同的功率有不同的方法來實現過流或短路保護。由于IGBT等功率器件都存在一定的結電容，所以會造成器件導通關斷的延遲現象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅動電壓電流，設置結電容釋放 回路等）。igbt逆變電路圖IGBT 是一種大功率電子電力元器件。

IGBT模塊是下游產品中的關鍵部件，其性能表現、穩定性和可靠性對下游客戶來說至關重要，因此認證周期較長，替換成本高。對于新增的IGBT供應商，客戶往往會保持謹慎態度，不僅會綜合評定供應商的實力，而且通常要經過產品單體測試、整機測試、多次小批量試用等多個環節之后，才會做出大批量采購決策，采購決策周期較長。因此，新進入本行業者即使研發生產出IGBT產品，也需要耗費較長時間才能贏得客戶的認可。目前國內具有相關實踐、經驗豐富的研發技術人才仍然比較缺乏，新進入的企業要想熟練掌握IGBT芯片或模塊的設計、制造工藝，實現大規模生產，需要花費較長的時間培養人才、學習探索及技術積累。IGBT驅動電路的作用是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作。

IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極的應用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術，主要采用1um以下制作工藝，研制開發取得一些新進展。電子技術在當今急需節能降耗的工業領域里起到了不可替代的作用。IGBT驅動電路

GBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件。IGBT驅動器

從20 世紀80 年代至今，IGBT 芯片經歷了5-6 代產品升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場—截止型（FS-Trench），各方面指標都得到了不斷的優化。芯片面積縮小為初的四分之一，工藝線寬從5微米降到0.5微米，通態飽和壓降從3伏降到1伏，關斷時間也更快，從0.5微秒降到0.15微秒，功率損耗也更低，斷態電壓也從600V 提高到了6500V 以上。IGBT的開關頻率越高，開關次數就越多，損耗功率就也高，那乘以散熱器的熱阻后，IGBT的溫升也越高，如果溫度高到超出了IGBT的上限，那IGBT就失效了。IGBT驅動器

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