1、用到單電源時(shí),CD4051的VEE可以和GND相接。2、強(qiáng)烈提議A,B,C三路片選端要加上拉電阻。3、CD4051的公共輸出端不必加濾波電容(并聯(lián)到地),否則不同通道變換后的電壓經(jīng)電容沖放電后會(huì)引起巨大的誤差。4、明令禁止輸出端(INH)為高電平時(shí),所有輸出切斷,所以在運(yùn)用時(shí)此端接地。作音頻信號(hào)切換時(shí),比較好在輸入輸出端串入隔直電容。運(yùn)用CD4051模擬開(kāi)關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)IO口擴(kuò)展1、CD4051介紹詳實(shí)信息參考:TICD4051Datasheet可將其了解為單刀8擲開(kāi)關(guān),法則如圖:CD4051模擬開(kāi)關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)IO口擴(kuò)展用三個(gè)IO控制A,B,C地址腳,可實(shí)現(xiàn)3腳與0-7這8個(gè)腳的連接。真值表如圖...
導(dǎo)通電阻更為大,對(duì)于PMOS而言,S級(jí)的電壓越高,導(dǎo)通電阻越發(fā)小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2)導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān):當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí),隨著溫度的升高,導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度轉(zhuǎn)變的曲線3)導(dǎo)通電阻的平坦度:On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi),導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差稱(chēng)之為導(dǎo)通電阻的平坦度,這個(gè)值越大,解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里,我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響,如圖6。為了更容易地觀察到影響,我們選項(xiàng)設(shè)立R1和R2為1...
球活門(mén)球面上有一徑向盲孔和軸向通孔相通,形成一個(gè)通道。可選地,錐活門(mén)和球活門(mén)通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子連通,實(shí)際包括:錐活門(mén)穿越球活門(mén)的軸向通孔并通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子與球活門(mén)連通。可選地,圓盤(pán)上設(shè)立限位孔,限位孔的位置與輸出口的位置對(duì)應(yīng)。可選地,還包括設(shè)立在殼體上方的盲孔,盲孔中設(shè)立有有彈性構(gòu)件和鋼球,彈性構(gòu)件的一端固定在盲孔底部,彈性構(gòu)件的另一端與剛球連結(jié)。可選地,所述彈性構(gòu)件為彈簧。本發(fā)明的有益于功效:本發(fā)明的一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),具構(gòu)造連貫、重量輕、集成度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)和按壓操縱桿可以實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)...
在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中,模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用,例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)搜集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單,但是依然有很多細(xì)節(jié),需大家在用到的過(guò)程中留意。所以,在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的根基參數(shù)。在開(kāi)始介紹基石的參數(shù)之前,我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種,如圖1所示。1)NFET。2)NFET和PFET。3)含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色,詳實(shí)的介紹,可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培...
所述防落罩的兩側(cè)均設(shè)立有l(wèi)型限位塊,所述l型限位塊與***流通閥和第二流通閥均固定連接,所述開(kāi)關(guān)電磁閥閥體內(nèi)部的上方設(shè)立有靜鐵芯,所述靜鐵芯的兩側(cè)均設(shè)立有連接柱置放槽,所述連接柱放到槽的內(nèi)部設(shè)置有伸縮連接柱,所述伸縮連接柱的頂端設(shè)立有拉動(dòng)扣環(huán),所述伸縮連接柱的下方設(shè)立有動(dòng)鐵芯,且動(dòng)鐵芯與伸縮連接柱固定連接,所述動(dòng)鐵芯的下端設(shè)立有活動(dòng)連接塊,所述活動(dòng)連接塊的兩端均設(shè)立有彈簧,所述彈簧的外部設(shè)置有線圈,所述活動(dòng)連接塊的下端設(shè)立有伸縮管,所述伸縮管的內(nèi)部設(shè)置有固定柱,且固定柱與活動(dòng)連接塊固定聯(lián)接,所述固定柱的外部設(shè)置有***堵氣塊,所述***堵氣塊的下方設(shè)立有***密封塊,所述***堵氣塊上方的兩側(cè)...
電源端的電壓等于0v)信號(hào)輸出端y的電位大于信號(hào)輸入端a的電位為例,假設(shè)晶體管m1至m3的導(dǎo)通閾值為,晶體管m1至m3形成的二極管的正向?qū)妷簽椋w管mp1寄生二極管的正向?qū)妷簽椋藭r(shí)參考電壓vmax為:vmax=max(va,vy,vcc)-vtn=可以得到此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間的電壓差為,小于寄生二極管的正向?qū)妷海虼碎_(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài),有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。進(jìn)一步的,本實(shí)施例的掉電保護(hù)電路302還包括電壓上拉模塊321,電壓上拉模塊321與參考電壓vmax相連接,用于在電源電壓正常時(shí)將參考電壓v...
2).特性圖23簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及通道間串?dāng)_隨信號(hào)頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容造成的。有時(shí),也會(huì)由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容,展現(xiàn)為串?dāng)_。CSS表示兩個(gè)輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號(hào)的兩個(gè)輸入走線之間的電容,或者是多路復(fù)用器的兩個(gè)輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時(shí)候,從S1到OUTPUT的阻抗是RON,因?yàn)镾2是斷開(kāi)的,從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強(qiáng)加到S1的輸入信號(hào)的頻率增加,寄生電容CSD的阻抗變得更低,并在S2引入了一部分S1的輸入信號(hào)。相同的法則,寄生電容CSS隨頻率的...
所述第四晶體管的源極用于接收所述參考電壓,漏極與所述第五晶體管的漏極連接,所述第五晶體管的源極接地,所述第四晶體管和所述第五晶體管的柵極接收***控制信號(hào),所述第四晶體管和所述第五晶體管的中間節(jié)點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的模擬開(kāi)關(guān)的所述p型開(kāi)關(guān)管的柵極連接。推薦地,每個(gè)所述模擬開(kāi)關(guān)還包括連接于所述信號(hào)輸入端和所述信號(hào)輸出端之間的n型開(kāi)關(guān)管,所述n型開(kāi)關(guān)管和所述p型開(kāi)關(guān)管并聯(lián)連接,所述n型開(kāi)關(guān)管的柵極接收第二控制信號(hào),所述n型開(kāi)關(guān)管的襯底接地,其中,所述***控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)為同相信號(hào)。推薦地,所述多個(gè)***晶體管分別選自n型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。推薦地,所述第二晶體管和所述第三晶體管分別選自...
響度控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān):TC4066東芝模擬開(kāi)關(guān),雙向模擬開(kāi)關(guān),四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類(lèi)型:家電描述:TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān),模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的功用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和采用壽命長(zhǎng)等特性,因而,在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中取得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)支配極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成,為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǎ瑱C(jī)能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián),門(mén)極信號(hào)分為兩路,一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS,另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS,確保雙向?qū)āP吞?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻Roff>...
5、接線安放通孔;6、盒蓋拉動(dòng)瓣;7、進(jìn)氣孔;8、出氣孔;9、l型限位塊;10、靜鐵芯;11、防落罩限位塊;12、動(dòng)鐵芯;13、伸縮連接柱;14、拉動(dòng)扣環(huán);15、連接柱置于槽;16、線圈;17、活動(dòng)連接塊;18、彈簧;19、伸縮管;20、固定柱;21、***流通閥;22、第二流通閥;23、***密封塊;24、第二密封塊;25、***堵氣塊;26、***堵氣限位塊;27、第二堵氣塊;28、第二堵氣限位塊;29、防落罩;30、海綿圓套;31、橡膠圓套;32、氣管放到槽。實(shí)際實(shí)施方法下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案展開(kāi)明了、完整地描述,顯然,所敘述的實(shí)施例**是本實(shí)...
優(yōu)于的渠道通道串?dāng)_也限度地減小干擾。先斷后合機(jī)能兩部分掃除信號(hào)中斷期間的開(kāi)關(guān)從預(yù)防開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。BL1532涵蓋應(yīng)用在VCC電源開(kāi)關(guān)上的I/O引腳特殊電路切斷電源(VCC=0),它容許裝置承受過(guò)電壓的條件。這個(gè)設(shè)備是為了縮減電流消耗,甚至當(dāng)支配電壓的SEL引腳是低比電源電壓(VCC)。特點(diǎn):寬電源電壓范圍:,低電容,Ω阻力低(典型值)在3V電壓VSW=,高帶寬(-3dB):>>從未C和C=5pF550MHz720MHz,低功耗:1uA。靜電放電8kVHBM測(cè)試:通過(guò)過(guò)電壓耐受(OVT)所有USB端口到。TTL/CMOS兼容,先把開(kāi)關(guān)斷,溫度范圍:40到85℃℃,封裝×.應(yīng)用領(lǐng)域:手機(jī),PDA,...
本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域,關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)。背景技術(shù):繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個(gè)子系統(tǒng),在使用過(guò)程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象,從前在向每個(gè)子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時(shí)都是通過(guò)卸下加油口蓋直接展開(kāi)重力式加注,這樣可能會(huì)致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染,影響整個(gè)油壓系統(tǒng)的可靠性,再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會(huì)引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實(shí)現(xiàn)元素:本發(fā)明的目的:提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)不同的分系統(tǒng)開(kāi)展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ谩1景l(fā)明的技術(shù)方案:***方面,提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),包括:殼體、輸入口、n個(gè)輸出口、活門(mén)組件、操縱桿和...
容許音頻放大器和開(kāi)關(guān)先加電,而主通道開(kāi)關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時(shí)間(參見(jiàn)10ms)后,耦合電容器的兩端均充電至等電位,然后開(kāi)啟主通道,根本并未浪涌電流。因?yàn)榇藭r(shí)電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開(kāi)關(guān)十分適于通過(guò)單個(gè)USB連接器(D+/D針)與聽(tīng)筒和USB數(shù)據(jù)線共享的手機(jī)和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真(THD)對(duì)于音頻通道十分關(guān)鍵。另外,由于開(kāi)關(guān)置于在交流耦合電容器之后,因此須要處置低THD時(shí)較大的反向信號(hào)擺幅。該開(kāi)關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過(guò)裝置“有線”連通高速USB信號(hào)。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測(cè)試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當(dāng)前市場(chǎng)趨向轉(zhuǎn)移...
晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax,此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為:vgs=vmax-vy=由上式可以看出,掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在,小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為),因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài),進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是,本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具...
模擬開(kāi)關(guān)101包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1,開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管,開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接,二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a,二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y,開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接電源電壓vcc,開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。開(kāi)關(guān)管mp1的柵極接收控制信號(hào)cp1,開(kāi)關(guān)管mn1的柵極接收控制信號(hào)cn1,控制信號(hào)cp1和控制信號(hào)cn1為相位相反的控制信號(hào)。當(dāng)控制信號(hào)cp1為高電平,控制信號(hào)cn1為低電平時(shí),模擬開(kāi)關(guān)101斷開(kāi);當(dāng)控制信號(hào)cp1為低電平,控制信號(hào)cn1為高電平時(shí),模擬開(kāi)關(guān)101導(dǎo)通,輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端a傳輸至信號(hào)輸入端y。模擬開(kāi)...
可替代SGM7227BL1532代理,BL1532原裝,BL1532PDF,BL1532低價(jià),BL1532現(xiàn)貨,BL1532替代BL1532是一款低功耗,雙端口,高速(480Mbps),雙–單刀雙擲(擲)模擬開(kāi)關(guān)具有一個(gè)。BL1532與,需要通過(guò)第三次諧波,造成信號(hào)的**小邊緣和相位失真。優(yōu)越的渠道通道串?dāng)_也限度地減少干擾。先斷后合功能兩部分消除信號(hào)中斷期間的開(kāi)關(guān)從防止開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。BL1532包含應(yīng)用在VCC電源開(kāi)關(guān)上的I/O引腳特殊電路切斷電源(VCC=0),它允許設(shè)備承受過(guò)電壓的條件。這個(gè)裝置是為了減少電流消耗,甚至當(dāng)控制電壓的SEL引腳是低比電源電壓(VCC)。特點(diǎn):寬電源電壓范圍:,...
Note7)VDD=15VIINInputCurrent輸入電流VDD?VSS=15VVDD≥VIS≥VSSVDD≥VC≥VSS??10?5??μA10?5ACElectricalCharacteristics交流電氣屬性:Symbol符號(hào)Parameter參數(shù)Conditions條件**小典型**大Units單位tPHL,tPLHPropagationDelayTimeSignalInputtoSignalOutput信號(hào)輸入到信號(hào)輸出傳遞延遲時(shí)間VC=VDD,CL=50pF,(Figure1)RL=200kVDD=5V2555nsVDD=10V1535VDD=15V1025tPZH,tPZ...
SN)、、7116-5091、284703-1、/5195-08、1565086-1、7、6188-0066、ST730497-3、7282-6456-90、B3B-XH-2-TV4(LF)(SN)、XADRP-36V、、8100-1236、MG682621、3-520340-2、PS-187-M、3-520338-2、7047-1471-30、、MG632862-5、XADRP-34V、PNIRP-03V-S、、/2139-2A、7116-5749-02、7282-6569-40、B3B-XH-A(LF)(SN)、ZER-03V-S、18FE-ST-VK-N、ZLR-04V、SM05B-PA...
防落罩29的兩側(cè)均設(shè)立有l(wèi)型限位塊9,l型限位塊9與***流通閥21和第二流通閥22均固定連接,開(kāi)關(guān)電磁閥閥體1內(nèi)部的上方設(shè)立有靜鐵芯10,靜鐵芯10的兩側(cè)均設(shè)立有連接柱置于槽15,連結(jié)柱安放槽15的設(shè)計(jì)便于伸縮連接柱13的放置,聯(lián)接柱安放槽15的內(nèi)部設(shè)置有伸縮連接柱13,伸縮連接柱13的頂端設(shè)立有拉動(dòng)扣環(huán)14,拉動(dòng)扣環(huán)14的設(shè)計(jì)便于工作人員的拉動(dòng),伸縮連接柱13的下方設(shè)立有動(dòng)鐵芯12,且動(dòng)鐵芯12與伸縮連接柱13固定連接,動(dòng)鐵芯12的下端設(shè)立有活動(dòng)連接塊17,活動(dòng)連接塊17的兩邊均設(shè)立有彈簧18,彈簧18的外部設(shè)置有線圈16,活動(dòng)連接塊17的下端設(shè)立有伸縮管19,伸縮管19的內(nèi)部設(shè)置有固定柱...
Note7)VDD=15VIINInputCurrent輸入電流VDD?VSS=15VVDD≥VIS≥VSSVDD≥VC≥VSS??10?5??μA10?5ACElectricalCharacteristics交流電氣屬性:Symbol符號(hào)Parameter參數(shù)Conditions條件**小典型**大Units單位tPHL,tPLHPropagationDelayTimeSignalInputtoSignalOutput信號(hào)輸入到信號(hào)輸出傳遞延遲時(shí)間VC=VDD,CL=50pF,(Figure1)RL=200kVDD=5V2555nsVDD=10V1535VDD=15V1025tPZH,tPZ...
接線盒2的設(shè)計(jì)對(duì)接線處的保護(hù)越發(fā)安全。更進(jìn)一步,接線盒2的一端設(shè)立有盒蓋置于槽3,盒蓋置于槽3的內(nèi)部設(shè)置有接線盒盒蓋4,且接線盒盒蓋4與盒蓋放到槽3通過(guò)卡槽連通,讓接線盒盒蓋4與盒蓋放到槽3的連接愈發(fā)穩(wěn)固,接線盒盒蓋4的一端設(shè)立有接線置放通孔5,接線放到通孔5的設(shè)計(jì)便于對(duì)電纜的放置。更進(jìn)一步,接線盒盒蓋4的下端設(shè)立有盒蓋拉動(dòng)瓣6,盒蓋拉動(dòng)瓣6的設(shè)計(jì)讓工作人員敞開(kāi)接線盒盒蓋4時(shí)愈發(fā)便利。更進(jìn)一步,防落罩29的一端設(shè)立有海綿圓套30,且海綿圓套30設(shè)置有三個(gè),海綿圓套30的一側(cè)設(shè)立有橡膠圓套31,且橡膠圓套31設(shè)立有兩個(gè),橡膠圓套31和海綿圓套30的設(shè)計(jì)增加了氣管的摩擦力,讓氣管不會(huì)被隨意拔出。更...
球活門(mén)球面上有一徑向盲孔和軸向通孔相通,形成一個(gè)通道。可選地,錐活門(mén)和球活門(mén)通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子連通,實(shí)際包括:錐活門(mén)穿越球活門(mén)的軸向通孔并通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子與球活門(mén)連通。可選地,圓盤(pán)上設(shè)立限位孔,限位孔的位置與輸出口的位置對(duì)應(yīng)。可選地,還包括設(shè)立在殼體上方的盲孔,盲孔中設(shè)立有有彈性構(gòu)件和鋼球,彈性構(gòu)件的一端固定在盲孔底部,彈性構(gòu)件的另一端與剛球連結(jié)。可選地,所述彈性構(gòu)件為彈簧。本發(fā)明的有益于功效:本發(fā)明的一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),具構(gòu)造連貫、重量輕、集成度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)和按壓操縱桿可以實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)...
在輸出端引入的誤差會(huì)越小。但同時(shí),要注意到,流入電荷是一個(gè)與供電電壓、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù)。因此,當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在變動(dòng)時(shí),會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差。所以在選在MUX時(shí),除了要留意chargeinjection的值以外,也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器用到特別的電荷流入掃除電路,可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC,在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開(kāi)關(guān)敞開(kāi)時(shí),在漏極的輸...
這些開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)速度快,開(kāi)通時(shí)間μs;低靜態(tài)電流節(jié)約關(guān)閉狀況功耗。低導(dǎo)通電阻和低失真以及低串?dāng)_保證信號(hào)完整性上佳。內(nèi)部過(guò)熱關(guān)斷和欠壓鎖保護(hù)(UVLO)機(jī)能保證開(kāi)關(guān)安全工作。這款先進(jìn)產(chǎn)品使用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的BCD6s-SOI(絕緣體上硅)和BCD8sSOI制造工藝,在同一芯片上集成精細(xì)模擬電路(雙極晶體管)、低壓CMOS邏輯電路和穩(wěn)健精確的DMOS功率級(jí)。STHV64SW可以采用高達(dá)-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各種高壓電源組合。目前已有創(chuàng)新的高科技裝置使用STHV64SW,例如,工業(yè)無(wú)損檢測(cè)(NDT)超聲波探傷儀和經(jīng)濟(jì)便攜的醫(yī)學(xué)超聲回波影像診斷裝置,其中后者正在提高...
球活門(mén)球面上有一徑向盲孔和軸向通孔相通,形成一個(gè)通道。可選地,錐活門(mén)和球活門(mén)通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子連通,實(shí)際包括:錐活門(mén)穿越球活門(mén)的軸向通孔并通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子與球活門(mén)連通。可選地,圓盤(pán)上設(shè)立限位孔,限位孔的位置與輸出口的位置對(duì)應(yīng)。可選地,還包括設(shè)立在殼體上方的盲孔,盲孔中設(shè)立有有彈性構(gòu)件和鋼球,彈性構(gòu)件的一端固定在盲孔底部,彈性構(gòu)件的另一端與剛球連結(jié)。可選地,所述彈性構(gòu)件為彈簧。本發(fā)明的有益于功效:本發(fā)明的一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),具構(gòu)造連貫、重量輕、集成度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)和按壓操縱桿可以實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)...
動(dòng)鐵芯12會(huì)帶活動(dòng)連接塊17同時(shí)向上動(dòng)作,活動(dòng)連接塊17讓***堵氣塊25和***堵氣限位塊26緊密相貼,同時(shí)也讓第二堵氣塊27和第二堵氣限位塊28分開(kāi),此時(shí)***流通閥21閉合,第二流通閥22導(dǎo)通,且通過(guò)第二密封塊24的動(dòng)作,不讓氣體混雜,當(dāng)該種多路開(kāi)關(guān)電磁閥內(nèi)部電路出現(xiàn)故障時(shí),可以握住拉動(dòng)扣環(huán)14,根據(jù)自己的需來(lái)拉動(dòng)拉動(dòng)扣環(huán)14即可調(diào)節(jié)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),而且在不背道而馳本實(shí)用新型的精神上或基本特性的狀況下,能夠以其他的實(shí)際形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此,無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看,均應(yīng)將施行例視作是示范性的,而且是非限制性的,本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要...
響度控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān):TC4066東芝模擬開(kāi)關(guān),雙向模擬開(kāi)關(guān),四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類(lèi)型:家電描述:TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān),模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的效用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和采用壽命長(zhǎng)等特征,因而,在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中獲得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)支配極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成,為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǎ瑱C(jī)能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián),門(mén)極信號(hào)分為兩路,一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS,另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS,確保雙向?qū)āP吞?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻Roff>...
且接線盒盒蓋與盒蓋安放槽通過(guò)卡槽連結(jié),所述接線盒盒蓋的一端設(shè)立有接線放到通孔。推薦的,所述接線盒盒蓋的下端設(shè)立有盒蓋拉動(dòng)瓣。推薦的,所述防落罩的一端設(shè)立有海綿圓套,且海綿圓套設(shè)立有三個(gè),所述海綿圓套的一側(cè)設(shè)立有橡膠圓套,且橡膠圓套設(shè)立有兩個(gè)。推薦的,所述橡膠圓套和海綿圓套的中間位置處設(shè)立有氣管安放槽。與現(xiàn)有技術(shù)相比之下,本實(shí)用新型的有益于效用是:1.該種多路開(kāi)關(guān)電磁閥與現(xiàn)有的電路連接用輔助設(shè)備相比之下,裝備了伸縮連接柱和拉動(dòng)扣環(huán),伸縮連接柱的設(shè)計(jì)可以讓該種多路開(kāi)關(guān)電磁閥在無(wú)法正常采用下可以開(kāi)展手動(dòng)操作,化解了現(xiàn)有的開(kāi)關(guān)電磁閥在電磁閥內(nèi)部線路受損時(shí)無(wú)法正常用到的疑問(wèn)。2.該種多路開(kāi)關(guān)電磁閥與現(xiàn)有...
球活門(mén)球面上有一徑向盲孔和軸向通孔相通,形成一個(gè)通道。可選地,錐活門(mén)和球活門(mén)通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子連通,實(shí)際包括:錐活門(mén)穿越球活門(mén)的軸向通孔并通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子與球活門(mén)連通。可選地,圓盤(pán)上設(shè)立限位孔,限位孔的位置與輸出口的位置對(duì)應(yīng)。可選地,還包括設(shè)立在殼體上方的盲孔,盲孔中設(shè)立有有彈性構(gòu)件和鋼球,彈性構(gòu)件的一端固定在盲孔底部,彈性構(gòu)件的另一端與剛球連結(jié)。可選地,所述彈性構(gòu)件為彈簧。本發(fā)明的有益于功效:本發(fā)明的一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),具構(gòu)造連貫、重量輕、集成度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)和按壓操縱桿可以實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)...
并將該參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1的襯底。因此在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷海_(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài),有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1中寄生二極管正向?qū)ㄔ斐傻男盘?hào)泄露的問(wèn)題。作為一種非限制性的例子,掉電保護(hù)電路302包括晶體管m1至m3,晶體管m1的漏極與信號(hào)輸入端a連接,晶體管m2的漏極與信號(hào)輸出端y連接,晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc,晶體管m1至m3的源極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接。在本實(shí)施例中,晶體管m1至m3采用完全相同的晶體管,例如晶體管m1至m3分別采用nmos管。并且晶體管m1...