可平均節電20%以上,每年可節電400億千瓦時),因此電力電子技術的發展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單,逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。80年代初期出現的MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。80年代發展起來的靜電...
普通晶閘管的開關電流已達數千安,能承受的正、反向工作電壓達數千伏。在此基礎上,為適應電力電子技術發展的需要,又開發出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件,以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件,其器件電流由伏安特性決定,除了改變加在二端間的電壓外,無法控制其陽極電流,故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件,其門極信號能控制元件的導通,但不能控制其關斷,稱半控型器件。可關斷晶閘管、功率晶體管等器件,其...
1906年美國人德福雷斯特發明真空三極管,用來放大電話的聲音電流。此后,人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年,點接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發展史上翻開了新的一頁。但是,這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發成功的同時,結型晶體管論就已經提出,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后,結型晶體管材真正得以出現。1950年,具有使用價值的早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材...
模擬集成電路設計主要是通過有經驗的設計師進行手動的電路調試,模擬而得到,與此相對應的數字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產生。電子元器件數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量,可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成(MSI)電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成(VLSI)電路和特大規模集成(ULSI)電路。小規模集成電路包含的門電路在10個以內,或元器件數不超過100個;中規模集成電路包含的門電路在10-100個之間,或元器件數在100-...
德國的VDE和TUV以及中國的CQC認證等國內外認證,來保證元器件的合格。電子元器件發展史其實就是一部濃縮的電子發展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新興技術,二十世紀發展迅速,應用,成為近代科學技術發展的一個重要標志。電子元器件1906年,美國發明家德福雷斯特(DeForestLee)發明了真空三極管(電子管)。代電子產品以電子管為。四十年代末世界上誕生了只半導體三極管,它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點,很快地被各國應用起來,在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期,世界上出現了塊集成電路,它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上,使電子產品向更小型化發展。集成...
普通晶閘管的開關電流已達數千安,能承受的正、反向工作電壓達數千伏。在此基礎上,為適應電力電子技術發展的需要,又開發出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件,以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件,其器件電流由伏安特性決定,除了改變加在二端間的電壓外,無法控制其陽極電流,故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件,其門極信號能控制元件的導通,但不能控制其關斷,稱半控型器件。可關斷晶閘管、功率晶體管等器件,其...
也稱為開關型整流器SMR)通過MOSFET或IGBT的高頻工作,開關頻率一般控制在50-100kHz范圍內,實現高效率和小型化。近幾年,開關整流器的功率容量不斷擴大,單機容量己從48V/、48V/20A擴大到48V/200A、48V/400A。因通信設備中所用集成電路的種類繁多,其電源電壓也各不相同,在通信供電系統中采用高功率密度的高頻DC-DC隔離電源模塊,從中間母線電壓(一般為48V直流)變換成所需的各種直流電壓,這樣可大大減小損耗、方便維護,且安裝、增加非常方便。一般都可直接裝在標準控制板上,對二次電源的要求是高功率密度。因通信容量的不斷增加,通信電源容量也將不斷增加。變頻器...
也稱為開關型整流器SMR)通過MOSFET或IGBT的高頻工作,開關頻率一般控制在50-100kHz范圍內,實現高效率和小型化。近幾年,開關整流器的功率容量不斷擴大,單機容量己從48V/、48V/20A擴大到48V/200A、48V/400A。因通信設備中所用集成電路的種類繁多,其電源電壓也各不相同,在通信供電系統中采用高功率密度的高頻DC-DC隔離電源模塊,從中間母線電壓(一般為48V直流)變換成所需的各種直流電壓,這樣可大大減小損耗、方便維護,且安裝、增加非常方便。一般都可直接裝在標準控制板上,對二次電源的要求是高功率密度。因通信容量的不斷增加,通信電源容量也將不斷增加。變頻器...
模擬集成電路設計主要是通過有經驗的設計師進行手動的電路調試,模擬而得到,與此相對應的數字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產生。電子元器件數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量,可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成(MSI)電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成(VLSI)電路和特大規模集成(ULSI)電路。小規模集成電路包含的門電路在10個以內,或元器件數不超過100個;中規模集成電路包含的門電路在10-100個之間,或元器件數在100-...
由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以,在實用中多用幾個電力電子器件串聯或并聯形成組件,其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯時,希望各元件能承受同樣的正、反向電壓;并聯時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性,串、并聯時,各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以,在電力電子器件串聯時,要采取均壓措施;在并聯時,要采取均流措施。電力電子器件工作時,會因功率損耗引起器件發熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命,甚至燒毀,這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此,必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式...
1906年美國人德福雷斯特發明真空三極管,用來放大電話的聲音電流。此后,人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年,點接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發展史上翻開了新的一頁。但是,這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發成功的同時,結型晶體管論就已經提出,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后,結型晶體管材真正得以出現。1950年,具有使用價值的早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材...
模擬集成電路設計主要是通過有經驗的設計師進行手動的電路調試,模擬而得到,與此相對應的數字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產生。電子元器件數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量,可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成(MSI)電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成(VLSI)電路和特大規模集成(ULSI)電路。小規模集成電路包含的門電路在10個以內,或元器件數不超過100個;中規模集成電路包含的門電路在10-100個之間,或元器件數在100-...
電力電子器件又稱為功率半導體器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件(通常指電流為數十至數千安,電壓為數百伏以上)。功率器件幾乎用于所有的電子制造業,包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統黑白家電和各種數碼產品;工業控制類中的工業PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。除了保證這些設備的正常運行以外,功率器件還能起到有效的節能作用。由于電子產品的需求以及能效要求的不斷提高,中國功率器件市場一直保持較快的發展速度。國家統計局數據顯示,2010年中國功率器件行業共有規模以上企業4...
由于材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步,在20世紀60年代研制成功了代集成電路。在半導體發展史上。集成電路的出現具有劃時代的意義:它的誕生和發展推動了銅芯技術和計算機的進步,使科學研究的各個領域以及工業社會的結構發生了歷史性變革。憑借優越的科學技術所發明的集成電路使研究者有了更先進的工具,進而產生了許多更為先進的技術。這些先進的技術有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現。對電子器件來說,體積越小,集成度越高;響應時間越短,計算處理的速度就越快;傳送頻率就越高,傳送的信息量就越大。半導體工業和半導體技術被稱為現代工業的基礎,同時也已經發展稱為一個相對的高科技產業。集成...
由于材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步,在20世紀60年代研制成功了代集成電路。在半導體發展史上。集成電路的出現具有劃時代的意義:它的誕生和發展推動了銅芯技術和計算機的進步,使科學研究的各個領域以及工業社會的結構發生了歷史性變革。憑借優越的科學技術所發明的集成電路使研究者有了更先進的工具,進而產生了許多更為先進的技術。這些先進的技術有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現。對電子器件來說,體積越小,集成度越高;響應時間越短,計算處理的速度就越快;傳送頻率就越高,傳送的信息量就越大。半導體工業和半導體技術被稱為現代工業的基礎,同時也已經發展稱為一個相對的高科技產業。集成...
由于材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步,在20世紀60年代研制成功了代集成電路。在半導體發展史上。集成電路的出現具有劃時代的意義:它的誕生和發展推動了銅芯技術和計算機的進步,使科學研究的各個領域以及工業社會的結構發生了歷史性變革。憑借優越的科學技術所發明的集成電路使研究者有了更先進的工具,進而產生了許多更為先進的技術。這些先進的技術有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現。對電子器件來說,體積越小,集成度越高;響應時間越短,計算處理的速度就越快;傳送頻率就越高,傳送的信息量就越大。半導體工業和半導體技術被稱為現代工業的基礎,同時也已經發展稱為一個相對的高科技產業。集成...
模擬集成電路設計主要是通過有經驗的設計師進行手動的電路調試,模擬而得到,與此相對應的數字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產生。電子元器件數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量,可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成(MSI)電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成(VLSI)電路和特大規模集成(ULSI)電路。小規模集成電路包含的門電路在10個以內,或元器件數不超過100個;中規模集成電路包含的門電路在10-100個之間,或元器件數在100-...
電力電子器件又稱為功率半導體器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件(通常指電流為數十至數千安,電壓為數百伏以上)。功率器件幾乎用于所有的電子制造業,包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統黑白家電和各種數碼產品;工業控制類中的工業PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。除了保證這些設備的正常運行以外,功率器件還能起到有效的節能作用。由于電子產品的需求以及能效要求的不斷提高,中國功率器件市場一直保持較快的發展速度。國家統計局數據顯示,2010年中國功率器件行業共有規模以上企業4...
機電一體化和智能化提供了重要的技術基礎。計算機高效率綠色電源高速發展的計算機技術帶領人類進入了信息社會,同時也促進了電源技術的迅速發展。八十年代,計算機采用了開關電源,率先完成計算機電源換代。接著開關電源技術相繼進入了電子、電器設備領域。計算機技術的發展,提出綠色電腦和綠色電源。綠色電腦泛指對環境無害的個人電腦和相關產品,綠色電源系指與綠色電腦相關的高效省電電源,根據美國環境保護署l992年6月17日“能源之星"計劃規定,桌上型個人電腦或相關的設備,在睡眠狀態下的耗電量若小于30瓦,就符合綠色電腦的要求,提高電源效率是降低電源消耗的根本途徑。就目前效率為75%的200瓦開關電源而言...
變頻調速的關鍵技術是將直流電逆變為0~100Hz的交流電。在七十年代到八十年代,隨著變頻調速裝置的普及,大功率逆變用的晶閘管、巨型功率晶體管(GTR)和門極可關斷晶閘管(GT0)成為當時電力電子器件的主角。類似的應用還包括高壓直流輸出,靜止式無功功率動態補償等。這時的電力電子技術已經能夠實現整流和逆變,但工作頻率較低,局限在中低頻范圍內。變頻器時代進入八十年代,大規模和超大規模集成電路技術的迅猛發展,為現代電力電子技術的發展奠定了基礎。將集成電路技術的精細加工技術和高壓大電流技術有機結合,出現了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的問世,導致了中小功率電源向高頻化發展,...
由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以,在實用中多用幾個電力電子器件串聯或并聯形成組件,其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯時,希望各元件能承受同樣的正、反向電壓;并聯時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性,串、并聯時,各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以,在電力電子器件串聯時,要采取均壓措施;在并聯時,要采取均流措施。電力電子器件工作時,會因功率損耗引起器件發熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命,甚至燒毀,這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此,必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式...
變頻調速的關鍵技術是將直流電逆變為0~100Hz的交流電。在七十年代到八十年代,隨著變頻調速裝置的普及,大功率逆變用的晶閘管、巨型功率晶體管(GTR)和門極可關斷晶閘管(GT0)成為當時電力電子器件的主角。類似的應用還包括高壓直流輸出,靜止式無功功率動態補償等。這時的電力電子技術已經能夠實現整流和逆變,但工作頻率較低,局限在中低頻范圍內。變頻器時代進入八十年代,大規模和超大規模集成電路技術的迅猛發展,為現代電力電子技術的發展奠定了基礎。將集成電路技術的精細加工技術和高壓大電流技術有機結合,出現了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的問世,導致了中小功率電源向高頻化發展,...
普通晶閘管的開關電流已達數千安,能承受的正、反向工作電壓達數千伏。在此基礎上,為適應電力電子技術發展的需要,又開發出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件,以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件,其器件電流由伏安特性決定,除了改變加在二端間的電壓外,無法控制其陽極電流,故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件,其門極信號能控制元件的導通,但不能控制其關斷,稱半控型器件。可關斷晶閘管、功率晶體管等器件,其...
機電一體化和智能化提供了重要的技術基礎。計算機高效率綠色電源高速發展的計算機技術帶領人類進入了信息社會,同時也促進了電源技術的迅速發展。八十年代,計算機采用了開關電源,率先完成計算機電源換代。接著開關電源技術相繼進入了電子、電器設備領域。計算機技術的發展,提出綠色電腦和綠色電源。綠色電腦泛指對環境無害的個人電腦和相關產品,綠色電源系指與綠色電腦相關的高效省電電源,根據美國環境保護署l992年6月17日“能源之星"計劃規定,桌上型個人電腦或相關的設備,在睡眠狀態下的耗電量若小于30瓦,就符合綠色電腦的要求,提高電源效率是降低電源消耗的根本途徑。就目前效率為75%的200瓦開關電源而言...
可平均節電20%以上,每年可節電400億千瓦時),因此電力電子技術的發展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單,逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。80年代初期出現的MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。80年代發展起來的靜電...
80年代這類器件的高工作頻率在10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,其控制電流容量已達數百安,阻斷電壓1千多伏,但維持通態比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發二次擊穿現象,限制它的抗浪涌能力。進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管,由于不受少子儲存效應的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性,不易出現熱激發二次擊穿現象;需要擴大電流容量時,器件并聯簡單,且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率;在制造工藝上便于大規模集成。但它的通態壓降較大,...
而且容許的結溫升也比普通晶閘管高。這些新器件,在更高的頻率范圍內滿足了電力電子技術的要求。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路在一起。其制造工藝既概括了代功率電子器件向大電流、高電壓發展過程中所積累起來的各種經驗,又綜合了大規模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態時寄生參數的影響,這對提高電路工作頻率和外界干擾十分重要。電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構成,可以在同類產品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業的某些零件,是電容、晶體管、游絲、發條等電子器件的總稱...
可平均節電20%以上,每年可節電400億千瓦時),因此電力電子技術的發展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單,逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。80年代初期出現的MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。80年代發展起來的靜電...
80年代這類器件的高工作頻率在10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,其控制電流容量已達數百安,阻斷電壓1千多伏,但維持通態比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發二次擊穿現象,限制它的抗浪涌能力。進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管,由于不受少子儲存效應的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性,不易出現熱激發二次擊穿現象;需要擴大電流容量時,器件并聯簡單,且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率;在制造工藝上便于大規模集成。但它的通態壓降較大,...
也稱為開關型整流器SMR)通過MOSFET或IGBT的高頻工作,開關頻率一般控制在50-100kHz范圍內,實現高效率和小型化。近幾年,開關整流器的功率容量不斷擴大,單機容量己從48V/、48V/20A擴大到48V/200A、48V/400A。因通信設備中所用集成電路的種類繁多,其電源電壓也各不相同,在通信供電系統中采用高功率密度的高頻DC-DC隔離電源模塊,從中間母線電壓(一般為48V直流)變換成所需的各種直流電壓,這樣可大大減小損耗、方便維護,且安裝、增加非常方便。一般都可直接裝在標準控制板上,對二次電源的要求是高功率密度。因通信容量的不斷增加,通信電源容量也將不斷增加。變頻器...