可控硅一經觸發導通后,由于循環反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠大于Ib1,足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea,使...
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它...
以簡單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發脈沖Ug時,晶閘管被觸發導通。畫出它的波形(c)及(d),只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電...
可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結...
當負載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時,會使轉換電流變化率變高,這種情況易在感性負載的情況下發生,很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感。在處于截止狀態的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,內...
以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因為它的特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,...
應用安裝時,首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時,可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,也可以再并聯一個100nf的電容,來濾掉高頻噪聲。當驅動一個大的電感性負載時,在負載電壓和電流間有一個很大的相移...
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。控制極與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大...