用溫度升高薄膜內原來占據空隙的水汽被蒸發導致中心波長短移的理論可以較好地解釋我們實驗得到的數據,并且可以由此推導出我們制備的SiO2的聚集密度大約在0.92~0.95之間。理論分析和工藝條件的分析相吻合。除了吸潮引起的中心波長漂移以外,溫度升高引起的膜層折射率...
由于薄膜是柱狀結構,柱狀結構間存在空隙,吸潮前空隙內空氣的折射率為1,吸潮后空隙被水汽填充,折射率變為1.333,因而膜層的折射率,進而光學厚度和光譜特性均引起變化,這就是吸潮引起的光學不穩定性。將我們制備的膜系結構(HLH2LHLHL)3以及相應的折射率代入...
用電子束(EB)蒸發的TiO2和SiO2薄膜系統具有重要的應用。但是用常規的蒸發技術,即使基板的溫度高達300℃以上,薄膜仍呈現出明顯的柱狀結構特性。這種柱狀結構的薄膜,由于膜層中包含著大量的空隙,因此隨著薄膜濾光片吸潮,膜層折射率升高,濾光片的中心波長就會產...
該技術能控制攝像機,紅外燈、濾光片、彩轉黑同步切換。 穩定性具有自動定位和防抖動功能, 光線在零界點時,不會產生閃爍。 快速切換一步到位,不會中途因阻力卡住而停頓,產生濾光片偏位。 不會因云臺旋轉,停止等變化和振動造成濾光片移位。 不會在高速切換時,因碰撞而反...
其中主要的因素就是材料的折射率溫度系數、基板的線性熱膨脹系數、材料的泊松比、膜系的線性熱膨脹系數、膜層的聚集密度等。關于各種材料的折射率隨溫度變化的數據非常缺乏,尤其是薄膜形態材料的數據.據文獻報道,不同材料的折射率溫度的變化差異很大,比如碲化物呈現出負的數值...
用溫度升高薄膜內原來占據空隙的水汽被蒸發導致中心波長短移的理論可以較好地解釋我們實驗得到的數據,并且可以由此推導出我們制備的SiO2的聚集密度大約在0.92~0.95之間。理論分析和工藝條件的分析相吻合。除了吸潮引起的中心波長漂移以外,溫度升高引起的膜層折射率...
用電子束(EB)蒸發的TiO2和SiO2薄膜系統具有重要的應用。但是用常規的蒸發技術,即使基板的溫度高達300℃以上,薄膜仍呈現出明顯的柱狀結構特性。這種柱狀結構的薄膜,由于膜層中包含著大量的空隙,因此隨著薄膜濾光片吸潮,膜層折射率升高,濾光片的中心波長就會產...
濾光片是用來選取所需輻射波段的光學器件。濾光片的一個共性,就是沒有任何濾光片能讓天體的成像變得更明亮,因為所有的濾光片都會吸收某些波長,從而使物體變得更暗。這是各種顏色的平板玻璃或明膠片,其透射帶寬數百埃,多用在寬帶測光或裝在恒星攝譜儀中,以隔離重疊光譜級次。...
這種短移的量級大約在-1×10-2 nm/℃。后,對于聚集密度很高的膜系而言,材料的折射率溫度系數、基板的熱膨脹系數是決定中心波長漂移的重要因素。通過計算,對于可見光的范圍,這種漂移的量級在1×10-3nm/℃左右,方向由基板的熱膨脹系數決定。根據以上的分析,...
水的折射率從20℃到80℃下降了大約0.01,按照0.9的聚集密度來計算,由膜層中的水折射率下降引起膜層折射率溫度系數-2×10-5/℃,可見它完全可以抵消SiO2折射率隨溫度的上升,使整個膜系呈現負的折射率溫度系數,此時膜系的折射率系數變為-1.5×10-5...