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高傳導點接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。 在開關電源中,所需...

光敏二極管是將光信號變成電信號的半導體器件。它的**部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結的結深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時...

當晶閘管全部導通時，靜態閂鎖出現。只在關斷時才會出現動態閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖...

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用...

路器一般由觸頭系統、滅弧系統、操作機構、脫扣器、外殼等構成。當短路時，大電流（一般10至12倍）產生的磁場克服反力彈簧，脫扣器拉動操作機構動作，開關瞬時跳閘。當過載時，電流變大，發熱量加劇，雙金屬片變形到一定程度推動機構動作（電流越大，動作時間越短）。有電子型...

IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基于以下的參數來進行：器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發射極阻抗大，故可使用MOSFET...

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET...

穩壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩壓管電流的允許值，PN結就不會過熱損壞，當外加反向電壓去除后，穩壓管恢復原性能，所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。 [4]光電二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，以便...

變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。 [8]單色發光二極管在萬用表外部附接一節能1.5V干電池，將萬用表置R×10或...

1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導...

插入式熔斷器：它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線或電氣設備的短路保護用。螺旋式熔斷器：熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大，可用于電壓...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT ...

將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯．再將控制板與本觸發電路連接，就組成了一個簡單實用的大功率無級調速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負載與本電路串聯后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產生，調節電...

光敏二極管是將光信號變成電信號的半導體器件。它的**部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結的結深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時...

1、英標熔斷器英式熔斷器主要用于英聯邦國家生產的設備。英標熔斷器殼體采用陶瓷材質，產品具有體積小、性價比高等特點，特別受到240V以下的UPS廠商青睞。2、美標熔斷器美式熔斷器應用**為***，涵蓋了大部分電力電子產品應用。美標熔斷器殼體采用三聚氰胺網格布加陶...

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為25...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態，增加管子的功耗。重則將使調壓電路處于短路直通狀態。因此，比較好給處于截止狀態的IGBT加一反向...

若U1與U2的電壓值相同，但與U的電壓值不同，則說明該雙向觸發二極管的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時，則說明該雙向觸發二極管的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時，則說明該雙向觸發二極管內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0...

變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。 [8]單色發光二極管在萬用表外部附接一節能1.5V干電池，將萬用表置R×10或...

在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管...

?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半...

基片的應用在管體的P+和N+ 區之間創建了一個J1結。當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道形成，同時出現一個電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內，那么，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區內，...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

2、保護單臺長期工作的電機熔體電流可按比較大起動電流選取，也可按下式選取：IRN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN：熔體額定電流；IN：電動機額定電流。如果電動機頻繁起動，式中系數可適當加大至3～3.5，具體應根據實際情況而定。3、保護多臺長期工作的電機（...

Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數手冊。例如，常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負電壓-9V，則U=24V，假設 F=10KHz，Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ，柵極電阻應選取2W電阻，或2個1W電阻并聯。三、設置柵極電阻...

測量靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大; 表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此...

二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個...

熔斷電流，指導線在熔斷時所能通過的比較大的電流。但隨著導線的電阻增大，其熔斷電流也將降低。熔斷電流：Fusing current 單位： mA，A等。在導線橫截面積一定的情況下，長度越長，電阻越大，其熔斷電流也就越小。在長度一定的情況下，導線橫截面積越大，其電...

螺旋式熔斷器由瓷帽、熔斷管、瓷套、上接線座和下接線座及瓷底座等部分組成。熔斷管內裝有熔絲和石英砂和帶小紅點的熔斷指示器，指示器指示熔絲是否熔斷。石英用于增強滅弧性能。螺旋式熔斷器螺旋式熔斷器的作用與插入式熔斷器相同，用于電氣設備的過載及短路保護。分斷能力較高，...

IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態時，由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區存在電導調制效應，所以IGBT...