原理玻璃放電管中間所充的氣體主要是氖或氬,并保持一定壓力。當其兩端電壓低于放電電壓時，氣體放電管是一個絕緣體(電阻Riso>100MΩ)。當其兩端電壓升高到大于放電電壓時，產生弧光放電，氣體電離放電后由高阻抗轉為低阻抗,使其兩端電壓迅速降低。玻璃放電管受到瞬態高能量沖擊時，它能以10-9秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，通過高達千安量級的浪涌電流。應用玻璃放電管廣泛應用于供電、數據、信息接收、醫療器械、通訊、消費類產品，高頻電路、3G通訊產品、通訊基站設備及其他靜電通訊及家電等系列產品。a、用于供電b、用于數據傳遞裝置c、天線裝置或天線/信號電路包括可動部件d、抗靜電裝置e、多種醫療器械專業設計廠家直銷半導體放電管，價格優勢，信賴之選深圳市凱軒業科技有限公司.四川微型半導體放電管

玻璃放電管SPG的優點：1、絕緣電阻很大，沒有漏電流或漏電流很小；2、脈沖通流容量（峰值電流）大,分500A、1kA、3kA三種；3、具有雙向對稱特性；4、級間電容值很小，≤0.8pF；5、響應速度快，＜1ns；玻璃放電管SPG的缺點：1、通流容量較陶瓷氣體放電管小得多；2、擊穿電壓只有若干特定值；3、擊穿電壓分散性較大，為±20%；玻璃放電管SPG在選型時，一般應遵循以下原則：1、直流擊穿電壓VS的選取直流擊穿電壓VS的最小值應大于可能出現的比較高電源峰值電壓或比較高信號電壓的可1.2倍以上。2、沖擊放電電流IPP的選取要根據線路上可能出現的比較大浪涌電流或需要防護的比較大浪涌電流選擇,但只能用在浪涌電流不大于3kA的地方。3、在有可能出現續流的地方（如電源電路）使用時，必須串聯限流電阻或自恢復保險絲，防止玻璃放電管擊穿后長時間導通而損壞。四川微型半導體放電管氣體放電管包括二極管和三極管，電壓范圍從75V—3500V，超過百種規格，嚴按照CITEL標準生產、監控和管理。.

氣體放電管在綜合浪涌保護系統中的應用自動控制系統所需的浪涌保護系統一般由二級或三級組成，利用各種浪涌抑制器件的特點，可以實現可靠保護。氣體放電管一般放在線路輸入端，做為“級浪涌保護器件，承受大的浪涌電流。二級保護器件采用壓敏電阻，在us級時間范圍氣體放電管內更快地響應。對于高靈敏的電子電路，可采用三級保護器件tvs，在ps級時間范圍內對浪涌電壓產生響應。如圖5所示。當雷電等浪涌到來時，tvs首先起動，會把瞬間過電壓精確控制在一定的水平:如果浪涌電流大則壓敏電阻起動，并泄放一定的浪涌電流:兩端的電壓會有所提高，直至推動前級氣體放電管的放電，把大電流泄放到地。

放電管的工作原理是氣體放電。當外加電壓增大到超過氣體的絕緣強度時，兩極間的間隙將放電擊穿，由原來的絕緣狀態轉化為導電狀態，導通后放電管兩極之間的電壓維持在放電弧道所決定的殘壓水平。五極放電管的主要部件和兩極、三極放電管基本相同，有較好的放電對稱性，可適用于多線路的保護。（常用于通信線路的保護）從暫態過電壓開始作用于放電管兩端的時刻到管子實際放電時刻之間有一個延遲時間，該時間就稱為響應時間。響應時間的組成：一是管子中隨機產生初始電子-離子對帶電粒子所需要的時間，即統計時延；二是初始帶電粒子形成電子崩所需要的時間，即形成時延。為了測得放電管的響應時間，需要用固定波頭上升陡度du/dt的電壓源加到放電管兩端測取響應時間，取多次測量的平均值作為該管子的響應時間。深圳市凱軒業科技有限公司專業設計氣體放電管研究生產價格優勢，品質專業，歡迎咨詢。

氣體放電管的結構及特性開放型氣體放電管放電通路的電氣特性主要取決于環境參數，因而工作的穩定性得不到保證。為了提高氣體放電管的工作穩定性，氣體放電管大都采用金屬化陶瓷絕緣體與電極進行焊接技術，從而保證了封接的外殼與放電間隙的氣密性，這就為選擇放電管中的氣體種類和壓力創造了條件，氣體放電管內一般充電極有氖或氫氣體。氣體放電管有二極放電管及三極放電管兩種類型。有的氣體放電管帶有電極引線，有的則沒有電極引線。只做原裝，氣體放電管，選深圳市凱軒業科技有限公司。四川微型半導體放電管

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半導體放電管是一種過壓保護器件，是利用晶閘管原理制成的，依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電，可以流過很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍，構成了過壓保護的范圍。選用半導體放電管應注意以下幾點：1、比較大瞬間峰值電流IPP必須大于通訊設備標準的規定值。如FCCPart68A類型的IPP應大于100A；Bellcore1089的IPP應大于25A。2、轉折電壓VBO必須小于被保護電路所允許的比較大瞬間峰值電壓。3、半導體放電管處于導通狀態(導通)時，所損耗的功率P應小于其額定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路電流的波形決定。對于指數波，方波，正弦波，三角波K值分別為1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向擊穿電壓VBR必須大于被保護電路的最大工作電壓。如在POTS應用中，比較大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V，所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中，比較大DC電壓(150V)和比較大信號電壓(3V)之和為153V，所以應選擇VBR大于153V的器件。5、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位，器件的維持電流IH必須大于系統所能能提供的電流值。即：IH(系統電壓/源阻抗)。四川微型半導體放電管