工信部于5月29日公布電子信息制造業運行情況。1—4月份，中國電子信息制造業生產穩步增長，出口恢復向好，效益持續改善，投資保持較快增長，行業整體增勢明顯。生產方面，1—4月份，規模以上電子信息制造業增加值同比增長，增速分別比同期工業、高技術制造業高。4月份，規模以上電子信息制造業增加值同比增長。圖1電子信息制造業和工業增加值累計增速1—4月份，主要產品中，手機產量，同比增長，其中智能手機產量，同比增長；微型計算機設備產量，同比增長；集成電路產量1354億塊，同比增長。出口方面恢復向好。1—4月份，規模以上電子信息制造業出口的交貨值同比增長，較一季度提高，比同期工業低。4月份，規模以上電子信息制造業出口的交貨值同比增長。圖2電子信息制造業和工業出口的交貨值累計增速據海關統計，1—4月份，我國出口筆記本電腦4401萬臺，同比增長；出口手機，同比增長；出口集成電路887億個，同比增長。效益持續改善。1—4月份，規模以上電子信息制造業實現營業收入，同比增長，較一季度回落；營業成本，同比增長；實現利潤總額1442億元，同比增長；營業收入利潤率為，較一季度增加。4月份，規模以上電子信息制造業營業收入，同比增長；利潤，同比增長。高速貼片機在 SMT 貼片加工中如閃電俠，快速貼裝，為生產搶時間。自動化的SMT貼片加工評價高

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    GaN的里程碑：300mm晶圓過渡與技術革新一、GaN技術概覽氮化鎵（GaN）作為一種高性能半導體材料，因其在高頻、高功率、高溫和高壓環境下的優良性能而備受矚目。隨著高性能電子器件需求的持續增長，GaN技術正從150mm和200mm晶圓向300mm晶圓過渡，這一轉變旨在減少設備投資，降低生產成本，推動電子器件的性能提升與市場應用。二、技術挑戰與突破在GaN技術向300mm晶圓尺寸邁進的過程中，面臨著熱膨脹系數（CTE）匹配問題、制造成本增加、設備兼容性等挑戰，其中CTE失配限制了更高電壓器件的制造能力。為克服這些難題，美國Qromis公司開發了QST（QromisSubstrateTechnology）襯底技術，通過與GaN相匹配的CTE，以及多層無機薄膜與SiO2鍵合層的創新設計，實現了300mm晶圓上高質量、無翹曲和無裂紋的GaN外延生長，明顯降低了器件成本。三、里程碑與市場影響信越化學工業株式會社成功應用QST技術，開發出300mmGaN外延生長襯底，標志著GaN技術的重要里程碑。這一成就不僅解決了GaN器件制造商在大直徑襯底上的技術瓶頸，減少了設備投資，降低了成本，還為高頻器件、功率器件和LED等應用領域開辟了新的發展路徑，特別是在數據中心和電源管理方面展現出巨大潛力。

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