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標(biāo)準(zhǔn)氣體的注意事項(xiàng)-可燃?xì)怏w的危險(xiǎn)因素
工業(yè)氣體在各行業(yè)中的應(yīng)用
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穩(wěn)壓IC-帶導(dǎo)線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊,適用于需要高達(dá)42V輸入電壓的應(yīng)用。
?單個(gè)外露底部?
支持5-V、12-V和24-V導(dǎo)軌
?輸出電流高達(dá)10A
?輸出電流高達(dá)10A
穩(wěn)壓IC-微型IP?模塊解決方案總占地面積**小。
?帶集成蓋和電感器:如TPS826x系列(6MHz)和TPS82740
?*帶集成電感器:如TPS82084/85(6-V輸入)和TPS82130/40/50(17-V輸入)
?**功耗,如TPS82740,只有360nAIQ(運(yùn)行)
?LMZM23601比較高36-V輸入
TI的電源模塊包括實(shí)現(xiàn)DC/DC電源解決方案,可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少解決方案大小并縮短開發(fā)時(shí)間。產(chǎn)品的電壓高達(dá)60V,電流高達(dá)50A。
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功率MOSFET概述:
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù),與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個(gè)低導(dǎo)通電阻,需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形,這是以前現(xiàn)有硅平臺(tái)無法實(shí)現(xiàn)的組合。
NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比,從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率,**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET,穩(wěn)壓IC主要包括:N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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