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無錫循環(huán)測試電壓傳感器

來源: 發(fā)布時間:2025-04-25

采用Qt做上位機軟件的開發(fā),具有優(yōu)良的跨平臺特性,支持多種操作系統(tǒng)。Qt提供了豐富的API,良好的圖形界面和開放式編程,用戶完全自定義的測試系統(tǒng)功能模塊。可以看到在自動測試領域對采用NI的LabVIEW虛擬儀器技術對自動測試系統(tǒng)進行開發(fā),搭配不同的檢測設備或不同功能的采集卡,上位機主要發(fā)揮控制及結果顯示的功能,其主要工作重點主要放在多設備融合控制、對設備接口及軟件的設計。設備的檢測精度主要依賴于硬件自身的精度,并且設備成本高、維護困難,更新迭代成本高。其他的可以產(chǎn)生幅度調(diào)制、脈沖寬度調(diào)制或頻率調(diào)制輸出。無錫循環(huán)測試電壓傳感器

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削去原有電源系統(tǒng)紋波的補償方案有三種:注入、吸收、少則注入多則吸收。是單方向的向磁體注入電流,填補紋波,將整體的電流修正到紋波很低的水平。從磁體中吸收電流,是削波的方式將紋波中和得到紋波更小的電流。前兩種方案的綜合,將高于設定值得電流吸收、低于設定值的電流則進行補償,電流的供應室雙向的,即積存在注入也存在吸收。由于磁體電源系統(tǒng)中三套電源是各自**向磁體供電的,所以補償電源系統(tǒng)的設計業(yè)可以**進行。由上述補償方案可見,補償電源只需要補償原供電系統(tǒng)中紋波部分,所以補償電源容量較小,可以直接從電網(wǎng)中取電進行AC/DC變換。補償電路原理圖如圖2-3所示B1為三相工頻整流橋,C0為儲能電容器,B2為IGBT逆變橋,TM為高頻變壓器,B3為高頻整流橋。Lf和Cf構成輸出濾波器,Cp為補償電容,Lp為濾波電感,DCCT為高精度零磁通電流傳感器。惠州磁通門電壓傳感器生產(chǎn)廠家該補償線圈產(chǎn)生的磁通與原邊電流產(chǎn)生的磁通大小相等。

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對于前端儲能電容還需要考慮的參數(shù)是其耐壓值,直流母線上電壓峰值為373v,留一定裕量,可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲能電容。在電力電子變換和控制電路中,都是以各種電力半導體器件為基礎的。我們在設計電路時,也有很多可供選擇的電力半導體器件,BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點以及**適合應用場合。例如MOSFET開關頻率高,動態(tài)響應速度快,但其電流容量相對小,耐壓能力低,適用于低功率、高頻的場合[13][14]。門級可關斷晶閘管具有自關斷能力、電流容量大、耐壓能力好,適用于大功率逆變場合。IGBT的性能相對來說是介于兩者之間,有較高的工作頻率(20K以上),有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實驗中,裝置的功率在10kW以下,頻率在20K以下可以滿足要求,故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關管。

采用雙電源供電,為M57962芯片搭建比較簡單的外圍電路后,正負驅動電壓為+15V和-9V,可以使IGBT可靠通斷。并且M57962內(nèi)部集成了短路和過電流保護,內(nèi)部保護電路監(jiān)測IGBT的飽和壓降來判斷是否過流,當出現(xiàn)短路或過流時,M57962將***驅動信號實施對IGBT的關斷,同時輸出故障信號。如圖為驅動芯片M57962的驅動效果,將輸入的高電平為5V、低電平為0V的電壓信號放大為高電平為15V,低電平為-9V的驅動信號。-9V的低電平確保了IGBT可靠關斷。傳感器是能夠感知或識別特定類型的電信號或光信號并對其作出反應的裝置。

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為了加強裝置的安全性,大都采用具有變壓器隔離的隔離型方案。從功率角度考慮,當選用的功率開關管的額定電壓和額定電流相同時,裝置的總功率通常和開關管的個數(shù)呈正比例關系,故全橋變換器的功率是半橋變換器的2倍,適用于中大功率的場合。基于以上考慮,本方案中補償裝置選用帶有變壓器隔離的全橋型直流變換器。借助于效率高、動態(tài)性能好、線性度高等優(yōu)點,PWM(脈寬調(diào)制)技術在全橋變換器領域得到了廣發(fā)的關注和應用,已經(jīng)成為了主流的控制技術。傳統(tǒng)的PWM直流變換器開關管工作在硬開關狀態(tài)。在硬開關的缺陷是很明顯的具體表現(xiàn)在:1)開關管的開關損耗隨著頻率的提高而增加;2)開關管硬關斷時電流的突變會產(chǎn)生加在開關管兩端的尖峰電壓,容易造成開關管被擊穿;3)開關管硬開通時其自身結電容放電會產(chǎn)生沖擊電流造成開關管的發(fā)熱。但其體積大,頻帶較窄,一般只能用于工頻或其它額定頻率測量,并且具有諧振和輸出不能短路等問題。南京高精度電壓傳感器案例

我們知道一個電容器由兩個導體(或兩個板)組成。無錫循環(huán)測試電壓傳感器

圖3-6和圖3-7所示分別為輸出端電壓值和電壓紋波(圖中橫縱坐標分別為時間和電壓),經(jīng)過PID閉環(huán)反饋后,輸出電壓值的紋波系數(shù)可達0.16%。因為本仿真實驗中只加入了電壓單閉環(huán)反饋,進一步提高精度需要再在外環(huán)加入電流反饋環(huán)。仿真電路很好的驗證了試驗參數(shù)計算的正確性和合理性,在本電路的初步設計中可以按照仿真電路中參數(shù)進行實驗電路的搭建。傳統(tǒng)的控制技術多是以模擬電路為基礎的,其固有的缺陷是顯而易見的, 比如 電路本身復雜、模擬器件本身存在差異性、溫漂明顯、不可編程性。基于這些固有 的缺點,數(shù)字化的控制技術優(yōu)勢便展現(xiàn)出來。無錫循環(huán)測試電壓傳感器

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