SOA失效（電流失效）再簡(jiǎn)單說下第二點(diǎn)，SOA失效，SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON。3：受限于器件較大的耗散功率。4：受限于較大單個(gè)脈沖電流。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)。我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生。這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖，由于去過鋁，可能看起來不那么直接，參考下。場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，可以控制電流的流動(dòng)。MOS場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管的用途：一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。三、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。四、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了。場(chǎng)效應(yīng)管是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。場(chǎng)效應(yīng)管又是單極型晶體管，即導(dǎo)電過程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動(dòng)，類似金屬導(dǎo)電。MOS場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格在設(shè)計(jì)電路時(shí)，合理選擇場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)和工作參數(shù)，以滿足電路要求。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。

現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別，所以在應(yīng)用上，它的驅(qū)動(dòng)電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理基于電場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料中電荷分布的影響，從而改變其導(dǎo)電性能。

單極型場(chǎng)效應(yīng)管以其簡(jiǎn)單而獨(dú)特的結(jié)構(gòu)區(qū)別于雙極型晶體管，它依靠一種載流子（電子或空穴）來導(dǎo)電。這種結(jié)構(gòu)使得它的輸入電阻極高，幾乎沒有柵極電流，就像一個(gè)幾乎不消耗能量的信號(hào)接收站。在高阻抗信號(hào)放大與處理領(lǐng)域，它大顯身手。在傳感器信號(hào)調(diào)理電路中，以光電傳感器為例，當(dāng)光線照射到光電傳感器上時(shí)，會(huì)產(chǎn)生極其微弱的電流信號(hào)。單極型場(chǎng)效應(yīng)管憑借其高輸入阻抗的特性，能夠?qū)⑦@微弱的信號(hào)高效放大，且不會(huì)因?yàn)樽陨淼妮斎胩匦詫?duì)原始信號(hào)造成絲毫干擾。在工業(yè)檢測(cè)中，可精細(xì)檢測(cè)設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)；在環(huán)境監(jiān)測(cè)里，能準(zhǔn)確感知空氣質(zhì)量、溫濕度等變化。其出色的表現(xiàn)保證了傳感器檢測(cè)精度，廣泛應(yīng)用于對(duì)信號(hào)準(zhǔn)確性要求極高的各種場(chǎng)景，為工業(yè)生產(chǎn)和環(huán)境保護(hù)提供可靠的數(shù)據(jù)支持。場(chǎng)效應(yīng)管利用電場(chǎng)控制載流子的流動(dòng)，通過改變柵極電壓，控制源極和漏極之間的電流。佛山N溝道場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制，避免損壞器件。MOS場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等。對(duì)于這類應(yīng)用，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時(shí)，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài)，此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導(dǎo)電流。于是，電流重新循環(huán)，繼續(xù)為馬達(dá)供電。當(dāng)頭一個(gè)MOSFET再次導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)MOSFET二極管中存儲(chǔ)的電荷必須被移除，通過頭一個(gè)MOSFET放電，而這是一種能量的損耗，故trr 越短，這種損耗越小。MOS場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格