MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅動感性負載（如馬達），這個二極管很重要。可以在MOS管關斷時為感性負載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒有的。場效應管的電阻特性取決于柵極電壓，可實現精確控制。東莞功耗低場效應管行價

場效應管注意事項：為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。深圳場效應管生產廠家在放大電路中，場效應管可以起到線性放大的作用，輸出的信號與輸入信號成正比。

LED 燈具的驅動。設計LED燈具的時候經常要使用MOS管，對LED恒流驅動而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。因此，設計時必須注意柵極驅動器負載能力必須足夠大，以保證在系統要求的時間內完成對等效柵極電容(CEI)的充電。而MOSFET的開關速度和其輸入電容的充放電有很大關系。使用者雖然無法降低Cin的值，但可以降低柵極驅動回路信號源內阻Rs的值，從而減小柵極回路 的充放電時間常數，加快開關速度一般IC驅動能力主要體現在這里，我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅動恒流IC。

MOSFET的作用如下：1.可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子開關。6.在電路設計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負載，易于跟前級匹配。MOSFET適用于各種電路中的信號放大，功率放大和開關控制等應用。

場效應管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子器件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。場效應晶體管有時被稱為“單極性晶體管”，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管。由于半導體材料的限制，以及雙極性晶體管比場效應晶體管容易制造，場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。MOS管的寄生二極管，由于生產工藝，MOS 管會有寄生二極管，或稱體二極管。這是mos管與三極管較大的一個區別。場效應管利用電場控制載流子的流動，通過改變柵極電壓，控制源極和漏極之間的電流。深圳場效應管生產廠家

MOSFET通過柵極與源極電壓調節，是現代電子器件中常見的元件。東莞功耗低場效應管行價

靜態電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動態點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管開啟速度較主要關注的參數是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf，各位工程時使用的時候請根據實際漏級電路ID，柵極驅動電壓Vg進行判斷。東莞功耗低場效應管行價