關鍵工藝流程
涂布:
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調整),需均勻無氣泡(旋涂轉速500-5000rpm)。
前烘(Soft Bake):
? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強附著力(避免顯影時邊緣剝離)。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。
? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。
? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。
? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影:
? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區域膠膜溶解,未曝光區域保留,形成三維立體圖案。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化學增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發光酸催化反應,提高分辨率和耐蝕刻性。
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研發投入
? 擁有自己實驗室和研發團隊,研發費用占比超15%,聚焦EUV光刻膠前驅體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域,與中山大學、華南理工大學建立產學研合作。
? 專項布局:累計申請光刻膠相關的項目30余項,涵蓋樹脂合成、配方優化、涂布工藝等細致環節。
生產體系
? 全自動化產線:采用德國曼茨(Manz)涂布設備、日本島津(Shimadzu)檢測儀器,年產能超500噸(光刻膠),支持小批量定制(小訂單100g)和大規模量產。
? 潔凈環境:生產車間達萬級潔凈標準(ISO 8級),避免顆粒污染,確保光刻膠缺陷密度<5個/cm2。
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廣東吉田半導體材料有限公司以全球化視野布局市場,通過嚴格的質量管控與完善的服務體系贏得客戶信賴。公司產品不僅通過 ISO9001 認證,更以進口原材料和精細化生產流程保障品質,例如錫膏產品采用無鹵無鉛配方,符合環保要求,適用于電子產品制造。其銷售網絡覆蓋全球,與富士康、聯想等企業保持長期合作,并在全國重點區域設立辦事處,提供本地化技術支持與售后服務。
作為廣東省創新型中小企業,吉田半導體始終將技術研發視為核心競爭力。公司投入大量資源開發新型光刻膠及焊接材料,例如 BGA 助焊膏和針筒錫膏,滿足精密電子組裝的需求。同時,依托東莞 “世界工廠” 的產業集群優勢,公司強化供應鏈協同,縮短交付周期,為客戶提供高效解決方案。未來,吉田半導體將持續深化技術創新與全球合作,助力中國半導體產業邁向更高臺階。
光刻膠的主要應用領域
光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應用于以下領域:
半導體制造
? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。
? 分類:
? 正性光刻膠:曝光區域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。
? 負性光刻膠:未曝光區域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。
? 技術演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示(LCD/OLED)
? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。
? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板(PCB)
? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導電線路。
? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構,需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。
? Micro-LED:微米級芯片轉移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。
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光刻膠(如液晶平板顯示器光刻膠)
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液晶平板顯示器制造:在液晶平板顯示器(LCD)的生產過程中,光刻膠用于制作液晶盒內的各種精細圖案,包括像素電極、公共電極、取向層圖案等。這些圖案的精度和質量直接影響液晶顯示器的顯示效果,如分辨率、對比度、視角等。
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有機發光二極管顯示器(OLED)制造:OLED 顯示器的制造同樣需要光刻膠來制作電極、像素定義層等關鍵結構。OLED 顯示器具有自發光、響應速度快等優點,而光刻膠能保障其精細的像素結構制作,提升顯示器的發光效率和顯示質量 。
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技術驗證周期長
半導體光刻膠的客戶驗證周期通常為2-3年,需經歷PRS(性能測試)、STR(小試)、MSTR(批量驗證)等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,預計2025年才能進入穩定供貨階段。
原材料依賴仍存
樹脂和光酸仍依賴進口,如KrF光刻膠樹脂的單體國產化率不足10%。國內企業需在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝等關鍵技術上持續突破。
未來技術路線
? 金屬氧化物基光刻膠:氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現出更高分辨率和穩定性,清華大學團隊已實現5nm線寬的原型驗證。
? 電子束光刻膠:中科院微電子所開發的聚酰亞胺基電子束光刻膠,分辨率達1nm,適用于量子芯片制造。
? AI驅動材料設計:華為與中科院合作,利用機器學習優化光刻膠配方,研發周期縮短50%。
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廣東吉田半導體材料有限公司在同行業領域中,一直處在一個不斷銳意進取,不斷制造創新的市場高度,多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準,在廣東省等地區的電工電氣中始終保持良好的商業口碑,成績讓我們喜悅,但不會讓我們止步,殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志,和諧溫馨的工作環境,富有營養的公司土壤滋養著我們不斷開拓創新,勇于進取的無限潛力,吉田半導體供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜,相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰的準備,要不畏困難,激流勇進,以一個更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!