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珠海UV納米光刻膠報價

來源: 發布時間:2025-04-26

? 化學反應:

? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;

? 負性膠:曝光后光敏劑引發交聯劑與樹脂形成不溶性網狀結構。

5. 顯影(Development)

? 顯影液:

? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區域;

? 負性膠:有機溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區域。

? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘(Post-Bake)

? 目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩定性。

? 條件:

? 溫度:100-150℃(半導體用正性膠可能更高,如180℃);

? 時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。

7. 蝕刻/離子注入(后續工藝)

? 蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);

? 離子注入:膠膜保護未曝光區域,使雜質離子只能注入曝光區域(半導體摻雜工藝)。

8. 去膠(Strip)

? 方法:

? 濕法去膠:強氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);

? 干法去膠:氧等離子體灰化(半導體領域,無殘留)。

吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造環保光刻膠。珠海UV納米光刻膠報價

珠海UV納米光刻膠報價,光刻膠

在半導體材料領域,廣東吉田半導體材料有限公司憑借 23 年技術沉淀,已成為國內光刻膠行業的企業。公司產品線覆蓋正性、負性、厚膜、納米壓印等多類型光刻膠,廣泛應用于芯片制造、LCD 顯示、PCB 電路板等領域。
  1. 技術:自主研發的光刻膠產品具備高分辨率(如 JT-3001 厚板光刻膠)、高感光度(如 JT-1000 負性光刻膠)及抗深蝕刻性能,部分指標達到水平。
  2. 嚴苛品控:生產過程嚴格遵循 ISO9001 體系,材料進口率 100%,并通過 8S 現場管理確保制程穩定性。
  3. 定制化服務:支持客戶需求定制,例如為特殊工藝開發光刻膠,滿足多樣化場景需求。
公司位于松山湖開發區,依托產業園區資源,持續加大研發,與科研機構合作推動技術升級。目前,吉田半導體已服務全球數千家客戶,以 “匠心品質、售后無憂” 的理念贏得市場口碑。
珠海UV納米光刻膠報價吉田技術研發與生產能力。

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。

厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。

負性光刻膠

  • SU-3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。


正性光刻膠

  • LCD 正性光刻膠 YK-200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,確保 LCD 生產中圖形精確轉移和良好涂布效果。
  • 半導體正性光刻膠 YK-300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩定性和電氣性能方面的要求。

國家大基金三期:注冊資本3440億元,明確將光刻膠列為重點投資領域,計劃投入超500億元支持樹脂、光引發劑等原料研發,相當于前兩期投入總和的3倍。

地方專項政策:湖北省對通過驗證的光刻膠企業給予設備采購補貼+稅收減免,武漢太紫微憑借全流程國產化技術獲中芯國際百萬級訂單;福建省提出2030年化工新材料自給率達90%,光刻膠是重點突破方向。

研發專項:科技部“雙十計劃”設立20億元經費,要求2025年KrF/ArF光刻膠國產化率突破10%,并啟動EUV光刻膠預研。
光刻膠廠家推薦吉田半導體,23 年研發經驗,全自動化生產保障品質!

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技術優勢:23年研發沉淀與細分領域突破

 全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發中實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系,實現了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘:公司擁有23年光刻膠研發經驗,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術,部分原材料純度達PPT級。

 細分領域技術先進

? 納米壓印光刻膠:在納米級圖案化領域(如量子點顯示、生物芯片)實現技術突破,分辨率達3μm,填補國內空缺。

? LCD光刻膠:針對顯示面板行業需求,開發出高感光度、高對比度的光刻膠,適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。

 研發投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業認證,與新材料領域同伴們合作開發半導體光刻膠,計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發。
正性光刻膠的工藝和應用場景。江蘇激光光刻膠廠家

吉田半導體全系列產品覆蓋,滿足多元化需求。珠海UV納米光刻膠報價

光刻膠的主要應用領域

光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應用于以下領域:

 半導體制造

? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。

? 分類:

? 正性光刻膠:曝光區域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。

? 負性光刻膠:未曝光區域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。

? 技術演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。

 平板顯示(LCD/OLED)

? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。

? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。

 印刷電路板(PCB)

? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導電線路。

? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。

 LED與功率器件

? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構,需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。

? Micro-LED:微米級芯片轉移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。

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廣東吉田半導體材料有限公司是一家有著先進的發展理念,先進的管理經驗,在發展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創新,時刻準備著迎接更多挑戰的活力公司,在廣東省等地區的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**,在業界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果,這些評價對我們而言是比較好的前進動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發圖強、一往無前的進取創新精神,努力把公司發展戰略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同吉田半導體供應和您一起攜手走向更好的未來,創造更有價值的產品,我們將以更好的狀態,更認真的態度,更飽滿的精力去創造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!

標簽: 光刻膠
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