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江西高溫光刻膠報價

來源: 發布時間:2025-04-30

 研發投入

? 擁有自己實驗室和研發團隊,研發費用占比超15%,聚焦EUV光刻膠前驅體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域,與中山大學、華南理工大學建立產學研合作。

? 專項布局:累計申請光刻膠相關的項目30余項,涵蓋樹脂合成、配方優化、涂布工藝等細致環節。

 生產體系

? 全自動化產線:采用德國曼茨(Manz)涂布設備、日本島津(Shimadzu)檢測儀器,年產能超500噸(光刻膠),支持小批量定制(小訂單100g)和大規模量產。

? 潔凈環境:生產車間達萬級潔凈標準(ISO 8級),避免顆粒污染,確保光刻膠缺陷密度<5個/cm2。
負性光刻膠生產原料。江西高溫光刻膠報價

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研發投入的“高門檻”
一款KrF光刻膠的研發費用約2億元,而國際巨頭年研發投入超10億美元。國內企業如彤程新材2024年半導體光刻膠業務營收5.4億元,研發投入占比不足15%,難以支撐長期技術攻關。

2. 價格競爭的“雙重擠壓”
國內PCB光刻膠價格較國際低30%,但半導體光刻膠因性能差距,價格為進口產品的70%,而成本卻高出20%。例如,國產ArF光刻膠售價約150萬元/噸,而日本同類產品為120萬元/噸,且性能更優。

突破路徑與未來展望

 原材料國產化攻堅:聚焦樹脂單體合成、光酸純化等關鍵環節,推動八億時空、怡達股份等企業實現百噸級量產。

 技術路線創新:探索金屬氧化物基光刻膠、電子束光刻膠等新方向,華中科技大學團隊已實現5nm線寬原型驗證。

 產業鏈協同創新:借鑒“TSMC-供應商”模式,推動晶圓廠與光刻膠企業共建聯合實驗室,縮短認證周期。

 政策與資本雙輪驅動:依托國家大基金三期,對通過驗證的企業給予設備采購補貼(30%),并設立專項基金支持EUV光刻膠研發。
甘肅水油光刻膠國產廠商松山湖光刻膠廠家吉田,23 年經驗 + 全自動化產線,支持納米壓印光刻膠定制!

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吉田半導體厚板光刻膠 JT-3001:國產技術助力 PCB 行業升級

JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻,成為國產 PCB 電路板制造推薦材料。
吉田半導體自主研發的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,適用于高密度 PCB 制造。其無鹵無鉛配方通過歐盟 RoHS 認證,已應用于華為 5G 基站主板量產。產品采用國產原材料與全自動化工藝,批次穩定性達 99.5%,幫助客戶提升生產效率 20%,加速國產 PCB 行業技術升級,推動 PCB 行業國產化進程。

技術優勢:23年研發沉淀與細分領域突破

 全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發中實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系,實現了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘:公司擁有23年光刻膠研發經驗,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術,部分原材料純度達PPT級。

 細分領域技術先進

? 納米壓印光刻膠:在納米級圖案化領域(如量子點顯示、生物芯片)實現技術突破,分辨率達3μm,填補國內空缺。

? LCD光刻膠:針對顯示面板行業需求,開發出高感光度、高對比度的光刻膠,適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。

 研發投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業認證,與新材料領域同伴們合作開發半導體光刻膠,計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發。
正性光刻膠生產廠家。

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吉田半導體 SU-3 負性光刻膠:國產技術賦能 5G 芯片封裝

自主研發 SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求,吉田半導體自主研發 SU-3 負性光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性,已應用于高通 5G 基帶芯片量產。產品采用國產原材料與工藝,不采用國外材料,成本較進口產品降低 40%,幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,為國產 5G 芯片制造提供關鍵材料支撐。
耐高溫光刻膠 JT-2000,250℃環境穩定運行,圖形保真度超 95%,用于納米結構制造!甘肅水油光刻膠國產廠商

吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。江西高溫光刻膠報價

? 化學反應:

? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;

? 負性膠:曝光后光敏劑引發交聯劑與樹脂形成不溶性網狀結構。

5. 顯影(Development)

? 顯影液:

? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區域;

? 負性膠:有機溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區域。

? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘(Post-Bake)

? 目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩定性。

? 條件:

? 溫度:100-150℃(半導體用正性膠可能更高,如180℃);

? 時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。

7. 蝕刻/離子注入(后續工藝)

? 蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);

? 離子注入:膠膜保護未曝光區域,使雜質離子只能注入曝光區域(半導體摻雜工藝)。

8. 去膠(Strip)

? 方法:

? 濕法去膠:強氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);

? 干法去膠:氧等離子體灰化(半導體領域,無殘留)。

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