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環(huán)氧樹(shù)脂基導(dǎo)熱復(fù)合材料（二）
2.2 氧化物和氮化物
一般使用的氧化物填料主要有Al2O3 、SiO2 及 ZnO等材料。ZnO熱導(dǎo)率不高，但是價(jià)格低，填充量大，應(yīng)用較為**。將氧化鋅晶須(ZnOw)填充到EP基體中，制備了導(dǎo)熱性高的ZnO/EP材料，在ZnOw含量為10%時(shí)，復(fù)合材料的熱導(dǎo)率約為純EP的3倍。將納米Al2O3 /EP復(fù)合層夾在兩個(gè)微米Al2O3/EP復(fù)合層之間，形成一種“三明治”結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料。研究后發(fā)現(xiàn)，新材料的導(dǎo)熱系數(shù)為0.447W/(m·K)，擊穿強(qiáng)度為68.50kV/mm，對(duì)于需要高性能復(fù)合材料的電氣設(shè)備而言，這種技術(shù)具有重要意義。
2.3 碳系填料
碳納米管（CNTs）和石墨烯等碳系填料由于其優(yōu)異的熱導(dǎo)率和機(jī)械性能，也被**應(yīng)用于環(huán)氧樹(shù)脂基導(dǎo)熱復(fù)合材料中。研究顯示，通過(guò)添加碳納米管，可以將環(huán)氧樹(shù)脂的熱導(dǎo)率提升至原來(lái)的14倍以上。
2.4 碳化物
SiC具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)、優(yōu)異的耐磨性和高的導(dǎo)熱系數(shù)，是*常用的碳化物填料。通過(guò)在EP中分別加入SiC3.5 、SiC40 和 SiC90 填充材料，制備出具有優(yōu)異性能的SiC/EP高熱傳導(dǎo)環(huán)氧復(fù)合材料。研究表明，隨著填充物含量的增加，復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)首先增大，后又減小，其中1.09W/(m·K)、1.11W/(m·K)、1.35W/(m·K)分別為SiC3.5、SiC40、SiC90復(fù)合材料熱導(dǎo)率的*大值。
三、環(huán)氧樹(shù)脂在電子封裝中的應(yīng)用
在電子封裝領(lǐng)域，環(huán)氧樹(shù)脂常用于芯片封裝材料。由于其優(yōu)異的機(jī)械性能和電絕緣性，環(huán)氧樹(shù)脂可以有效保護(hù)芯片免受機(jī)械應(yīng)力和外界環(huán)境的影響。此外，通過(guò)添加導(dǎo)熱填料，環(huán)氧樹(shù)脂基導(dǎo)熱復(fù)合材料可以有效解決芯片在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量問(wèn)題，從而延長(zhǎng)電子器件的使用壽命。
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