中美貿易摩擦：光刻膠國產代替是中國半導體產業的迫切需要；自從中美貿易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產業。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”，是國產代替重要環節，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的重要工藝，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到決定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配。現在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。碳酸甲酯型光刻膠：這種類型的光刻膠在制造高分辨率電路元件方面非常有用。光聚合型光刻膠顯示面板材料

光刻工藝歷經硅片表面脫水烘烤、旋轉涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘烤、顯影、堅膜烘烤、顯影檢查等工序。在光刻過程中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光、顯影與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40-50%，是半導體制造中重要的工藝。隨著半導體制程不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求逐步提高，需求量也隨之增加。從全球市場來看，專注電子材料市場研究的TECHCET預測數據顯示，2021年全球半導體制造光刻膠市場規模將同比增長11%，達到19億美元。TFT-LCD正性光刻膠集成電路材料在半導體集成電路制造行業：主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。

在半導體集成電路制造行業；主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。在大規模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預烘、涂膠、前烘、對準、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環節，將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到硅片上。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的重要材料。

雖然在2007年之后，一些波長更短的準分子光刻光源技術陸續出現，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學材料吸收，使這些材料受熱產生膨脹而無法正常工作。少數可以和這些波段的輻射正常工作的光學材料，比如氟化鈣（螢石）等，成本長期居高不下。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術的出現，193nm波長ArF光刻系統突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸，所以在45nm 到10nm之間的半導體制程工藝中，ArF光刻技術仍然得到了很大的應用。在與浸沒光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發出的紫外輻射并發生光化學反應。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發出的輻射經過這些液體的時候發生了折射，波長變短。這樣，在不改變光源的前提條件下，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率。產品純度、金屬離子雜質控制等也是光刻膠生產工藝中需面臨的技術難關，光刻膠純度不足會導致芯片良率下降。

肉桂酸酯類的光刻膠：這類光刻膠在紫外光的照射下，肉桂酸上的不飽和鍵會打開，產生自由基，形成交聯結構。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物，對二氧化硅、鋁、氧化鉻等材料都有良好的附著力，耐氫氟酸、磷酸腐蝕；中者膠在曝光下幾乎不受氧的影響，無須氮氣保護，分辨率1 μm左右，靈敏度較前者膠高1倍，黏附性好，抗蝕能力強，圖形清晰、線條整齊，耐熱性好，顯影后可在190℃堅膜0.5 h不變質，感光范圍在250~475 nm，特別對436 nm十分敏感，屬線型高分子聚合物；第三種膠能溶于酮類、烷烴等溶劑，不溶于水、乙醇等。有較好的黏附性和感光性 ，分辨率也很高，感光速度快。有機-無機雜化光刻膠結合了有機和無機材料的優點，在可加工性、抗蝕刻性、極紫外光吸收具有優勢。昆山光分解型光刻膠印刷電路板

在PCB行業：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。光聚合型光刻膠顯示面板材料

美國能源部布魯克海文國家實驗室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統，將有機聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結合起來，創造了雜化有機-無機光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應室中之后，引入了鋁前驅物蒸汽。這個蒸汽通過PMMA基質內部的微小分子孔擴散，與聚合物鏈內部的化學物質結合到一起。然后，他們引入了另一種前驅物（例如水），與前驅物反應形成PMMA基體內部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠遠高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。光聚合型光刻膠顯示面板材料

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