分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉變溫度的單分散小分子有機化合物，其結構為非共面和不規則，能夠避免結晶，與產酸劑具有優良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構，有機配體中包含光敏基團，借助光敏基團的感光性及其引發的后續反應實現光刻膠所需的性能。從化學組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。按照化學結構分類：光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯型和化學放大型。昆山i線光刻膠光引發劑

X射線對物質的化學作用類似電子束，X射線曝光時，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應，它的能量是消耗的光電子放射過程而產生低能電子束上。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化，并激勵產生化學反應，使光刻膠分子間的結合鍵解離，或鍵合成高分子，在某些顯影液中變成易溶或不溶。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒有本質的區別  ，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用，一部分248 nm光學光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ，X射線光刻膠的分辨率十分高，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯  ，負膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯。浙江光分解型光刻膠顯影亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件。

根據2019年數據，全球半導體光刻膠**大廠商占據全球光刻膠市場87%份額。其中日本占有四家，分別是JSR、東京應化(TOK)、信越化學與富士電子材料，這四家的市場份額達到72%，市場集中度明顯。在半導體光刻膠細分領域，日本廠商在市場中具有較強話語權。（1）g/i線光刻膠市場：日本的東京應化、JSR、住友化學和富士膠片分別占據26%、15%、15%、8%的份額，在全球市場占據64%份額。（2）KrF光刻膠市場：日本企業東京應化、信越化學和JSR在全球KrF光刻膠細分市場分別占據34%、22%和18%份額，合計占比達到74%。（3）ArF光刻膠市場：日本企業JSR、信越化學、東京應化和住友化學包攬前四，分別占據全球ArF光刻膠細分市場25%、23%、20%和15%市場份額，合計市場份額達到83%。（4）EUV光刻膠市場：較先進的EUV光刻膠領域完全被日本企業所主導，日本JSR、東京應化、信越化學成為EUV光刻膠市場可實現量產的廠商。目前引入EUV工藝的*有三星電子和臺積電兩家公司。

美國能源部布魯克海文國家實驗室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統，將有機聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結合起來，創造了雜化有機-無機光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應室中之后，引入了鋁前驅物蒸汽。這個蒸汽通過PMMA基質內部的微小分子孔擴散，與聚合物鏈內部的化學物質結合到一起。然后，他們引入了另一種前驅物（例如水），與前驅物反應形成PMMA基體內部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠遠高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。在平板顯示行業；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。

在CAR技術體系中，光刻膠中的光引發劑經過曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度，而是產生酸。在后續的熱烘培流程的高溫環境下，曝光產生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度。因此CAR技術體系下的光引發劑又叫做光致酸劑。由于CAR光刻膠的光致酸劑產生的酸本身并不會在曝光過程中消耗而是作為催化劑而存在，因此少量的酸就可以持續地起到有效作用。CAR光刻膠的光敏感性很強，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少，因此加強了光刻的效率。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右。有機-無機雜化光刻膠被認為是實現10nm以下工業化模式的理想材料。浙江光交聯型光刻膠單體

光刻膠的技術壁壘包括配方技術，質量控制技術和原材料技術。昆山i線光刻膠光引發劑

歷史上光刻機所使用的光源波長呈現出與集成電路關鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長**短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此很早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發光化學反應、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國科學家約瑟夫·弗勞恩霍夫將這兩種波長的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術命名的由來。昆山i線光刻膠光引發劑

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