EUV(極紫外光)光刻技術是20年來光刻領域的進展。由于目前可供利用的光學材料無法很好支持波長13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術使用波長為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV（極紫外光）光刻技術將半導體制程技術在10nm以下的區域繼續推進。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長尺度上，量子的不確定性效應開始顯現，為相應光源，光罩和光刻膠的設計和使用帶來了前所未有的挑戰。目前 EUV 光刻機只有荷蘭 ASML 有能力制造，許多相應的技術細節尚不為外界所知。在即將到來的 EUV 光刻時代，業界預期已經流行長達 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術或將迎來技術變革。光刻膠達到下游客戶要求的技術指標后，還需要進行較長時間驗證測試（1-3 年）。江蘇半導體光刻膠單體

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑。未經曝光的DQN成分作為抑制劑，可以十倍或者更大的倍數降低光刻膠在顯影液中的溶解速度。曝光后，重氮萘醌(DQN)基團轉變為烯酮，與水接觸時，進一步轉變為茚羥酸，從而得以在曝光區被稀堿水顯影時除去。由此，曝光過的光刻膠會溶解于顯影液而被去除，而未曝光的光刻膠部分則得以保留。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似，但是其樹脂和感光劑在微觀結構上均有變化，因而具有不同的分辨率。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作。普陀g線光刻膠樹脂半導體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉涂膠法，具體可以分為靜態旋轉法和動態噴灑法。

隨著IC集成度的提高，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢，對包括光刻在內的半導體制程工藝提出了新的挑戰。在半導體制程的光刻工藝中，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸；k1是瑞利常數，是光刻系統中工藝和材料的一個相關系數；λ是曝光波長，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機的孔徑數值。因此，光刻機需要通過降低瑞利常數和曝光波長，增大孔徑尺寸來制造具有更小特征尺寸的集成電路。其中降低曝光波長與光刻機使用的光源以及光刻膠材料高度相關。

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉移到晶片的過程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  。在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學刻蝕液中，進行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形，更好體現器件性能。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進行阱區和源漏區離子注入時，需要有較好的保護電路圖形的能力，否則光刻膠會因為在注入環境中揮發而影響到注入腔的真空度。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應起到的作用，器件的電路性能受阻。光刻膠發展至今已有百年歷史，現已用于集成電路、顯示、PCB 等領域，是光刻工藝的重要材料。

伴隨全球半導體產業東移，加上我國持續增長的下游需求和政策支持力度。同時，國內晶圓廠進入投產高峰期，由于半導體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點，國內光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產能的大幅擴張。當前我國光刻膠與全球先進水平有近40年的差距，半導體國產化的大趨勢下，國內企業有望逐步突破與國內集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對光刻膠足夠的重視，不斷向日本和歐美等發達國家學習，努力開發出性能優異的國產光刻膠，使我國在未來的市場中占據一席之地。光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。華東ArF光刻膠顯影

金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構，借助光敏基團實現光刻膠所需的性能。江蘇半導體光刻膠單體

目前國內從事半導體光刻膠研發和生產的企業包括晶瑞股份、南大光電、上海新陽、北京科華等。相關企業以i 線、g線光刻膠生產為主，應用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領域，北京科華、博康已實現量產。國內在ArF光刻膠領域產業化進程相對較快的企業為南大光電，其先后承擔國家02專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠產品關鍵技術研發項目”和“ArF光刻膠產品的開發和產業化項目”，公司自主研發的ArF光刻膠產品成為國內通過客戶驗證的國產ArF光刻膠，其他國內企業尚處于研發和驗證階段。江蘇半導體光刻膠單體

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