起初應用于 EUV 光刻的光刻膠為聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。PMMA曾廣泛應用于193nm光刻和電子束光刻工藝中，前者為EUV的前代技術，后者的反應機理與EUV光刻有較多的相似點。PMMA具有較高的透光性和成膜性、較好的黏附性，通常應用為正性光刻膠。在光子的作用下，PMMA發生主鏈碳-碳鍵或側基酯鍵的斷裂，形成小分子化合物于顯影液。早在1974年，Thompson等就利用PMMA作為光刻膠，研究了其EUV光刻性能。隨后，PMMA成為了重要的工具光刻膠。光刻膠只是一種形象的說法，因為光刻膠從外觀上呈現為膠狀液體。昆山顯示面板光刻膠

2015年，Brainard課題組設計并制備了一系列金屬配合物［RnM（O2CR′）2］，其中R基團可為苯基、2-甲氧基苯基、3-乙烯基苯基等，M可為銻、錫、鉍，O2CR′可為丙烯酸根、甲基丙烯酸根、3-乙烯基苯甲酸根等。對上述光刻膠進行電子束光刻，經過對R基團數目、各基團種類的篩選后，得到了靈敏度較高的銻配合物JP-20。JP-20可能發生了雙鍵聚合反應，從而發生溶解度變化。而以錫為中心的配合物，盡管能在22nm分辨率時獲得很低的LER（1.4nm以下），但其靈敏度太差，需要劑量高達600mJ·cm?2。上海ArF光刻膠顯示面板材料一旦達成合作，光刻膠廠商和下游集成電路制造商會形成長期合作關系。

有人研究了不同有機配體對此類光刻膠光刻性能的影響。有機配體會影響光刻膠的靈敏度。通過配體交換法，他們制備了反二甲基丙烯酸（DMA）和鄰甲基苯甲酸（TA）配體的HfO2、ZrO2體系。其中HfO2-DMA和ZrO2-DMA體系的靈敏度較高，為1.6~2.4mJ·cm?2，可實現20nm線寬的光刻圖案。此外，配體的種類還將影響光刻膠的溶解性。Li等報道了不同濃度的不同羧酸與ZrO2或HfO2配合之后的溶解度變化情況，發現不飽和的羧酸配體能獲得更大的溶解性差異。

光刻膠的曝光機理很復雜。Ober課題組和Giannelis課題組指出，其中起主導作用的應為配體交換過程。若體系內有光致產酸劑或光自由基引發劑，它們在受到光照后形成新的配體，與金屬納米顆粒表面的配體交換；若不加入光敏劑，光照后納米顆粒殼層的少量羧酸基團會與納米顆粒解離，從而改變金屬氧化物電荷，使雙電層變寬，促使納米顆粒的聚集。但美國德克薩斯大學達拉斯分校的Mattson等通過原位紅外光譜、X射線光電子能譜和密度泛函計算等手段發現，溶解度轉變過程主要是由于配體發生了自由基引發的不飽和碳-碳雙鍵交聯反應導致的。此類光刻膠的反應機理還有待進一步研究。能量（光和熱）可以活化光刻膠。

加強光刻膠的機理研究，對新型光刻膠的設計開發、現有光刻技術的改進都是大有裨益的。另外，基礎研究也需要貼合產業發展的實際和需求，如含鐵、鈷的光刻膠，盡管具有較好的光刻效果，但由于鐵、鈷等元素在硅基底中擴散速度很快，容易造成器件的污染，基本沒有可能投入到產業的應用中去。光刻膠的研發和技術水平，能夠影響一個國家半導體工業的健康發展。2019年，日本就曾經通過限制EUV光刻膠出口來制約韓國的芯片生產。因此，唯有加強我國自主的光刻膠研發，隨著光刻技術的發展，不斷開發出新材料、新配方、新工藝，才能保證我國的半導體工業的快速和健康發展。彩色玻璃也可以保護光刻膠。浙江光交聯型光刻膠溶劑

金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構，借助光敏基團實現光刻膠所需的性能。昆山顯示面板光刻膠

小分子的分子量通常小于聚合物，體積也小于聚合物，相對容易實現高分辨率、低粗糙度的圖案；而且制備工藝通常為多步驟的有機合成，容易控制純度，可以解決高分子材料面臨的質量穩定性問題。與高分子材料相比，小分子材料的缺點是難以配制黏度較高的溶液，從而難以實現厚膜樣品的制備。但自從ArF光刻工藝以來，光刻膠膜的厚度已經在200nm以下，小分子材料完全可以滿足要求。作為光刻膠主體材料的小分子應滿足光刻膠的成膜要求，即可以在基底表面形成均一的、各向同性的薄膜，而不能發生結晶過程。因此此類小分子沒有熔點，而是與高分子類似，存在玻璃態到高彈態或黏流態的轉變，所以早期的文獻中通常稱這種材料為“分子玻璃”；而依據此類材料的化學本質，即由單一結構的分子組成，稱其為“單分子樹脂”更加合理。此外，單分子樹脂材料還應該具有較高的玻璃化轉變溫度和熱穩定性，以滿足光刻膠的前烘和后烘需求。昆山顯示面板光刻膠