化學放大型光刻膠體系中有一個比較大的問題，就是光酸的擴散問題。光酸的擴散會增加光刻過程的圖案的粗糙度，進而影響光刻結果的分辨率。而將光致產酸劑與光刻膠主體材料聚合在一起，則有可能解決這一問題。此外，光致產酸劑（特別是離子型光致產酸劑）的化學結構與主體材料相差較大，極易在成膜時發生聚集，導致微區分相現象；而光致產酸劑與光刻膠主體材料共價鍵合后，分布均勻性可以得到改善，這也有利于獲得質量更好的光刻圖案。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。浦東黑色光刻膠

由于早期制約EUV光刻發展的技術瓶頸之一是光源功率太小，因此，在不降低其他光刻性能的前提下提高EUV光刻膠的靈敏度一直是科研人員的工作重點。為了解決這一問題，2013年，大阪大學的Tagawa等提出了光敏化化學放大光刻膠（PSCAR?）。與其他EUV化學放大光刻膠不同的是，PSCAR體系除了需在掩模下進行產生圖案的EUV曝光，還要在EUV曝光之后進行UV整片曝光。PSCAR體系中除了有主體材料、光致產酸劑，還包括光敏劑前體。這是一種模型光敏劑前體的結構，它本身對UV光沒有吸收，但在酸性條件下可以轉化為光敏劑，對UV光有吸收。上海TFT-LCD正性光刻膠曝光目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應量占比極低。

中國在光刻膠領域十分不利，雖然G線/I線光刻膠已經基本實現進口替代，但高級別光刻膠依然嚴重依賴進口。KrF/ArF光刻膠自給率不足5%，EUV光刻膠還只是“星星之火”。國產KrF光刻膠已經逐步實現國產替代并正在放量，ArF光刻膠也在逐步驗證并實現銷售當中，國產光刻膠已經駛入了快車道。隨著下游產能的快速增長，國產KrF/ArF光刻膠的需求將會持續提升。眾所周知，在半導體裝置的制造過程中，用于各種電路的無縫電氣連接金屬布線隨著半導體產品的高集成化、高速化，越來越要求以較小的線寬制作。因此，選擇合適的光刻膠是非常重要的，隨著金屬布線的線寬變小，不單大功率和低壓力被用作金屬布線形成的蝕刻方法，根據所用光刻膠的特點，去除蝕刻進程中產生的聚合物和光刻膠是非常重要的。

荷蘭光刻高級研究中心的Brouwer課題組進一步優化了錫氧納米簇的光刻工藝。他們發現后烘工藝可以大幅提高錫氧納米簇光刻膠的靈敏度。盡管錫氧納米簇的機理是非化學放大機理，但曝光后產生的活性物種仍然有可能在加熱狀態下繼續進行反應。俄勒岡州立大學的Herman課題組制備了一種電中性的叔丁基錫Keggin結構（β-NaSn13）納米簇。這一類的光刻膠在含氧氣氛下的靈敏度遠高于真空環境下的靈敏度，這可能與分子氧生成的反應活性氧物種有關。光刻膠必須在存儲和處理中受到保護。

2005年，IBM公司的Naulleau等利用MET@ALS評測了KRS光刻膠的EUV性能，可獲得線寬35nm、占空比1∶1的圖案和線寬28.3nm、占空比1∶4的圖案（圖13。不過，KRS在曝光過程中需要有少量的水參與，因此其曝光設備中需要引入水蒸氣。由于EUV光刻需要在高真空環境中進行，任何氣體的引入都會導致真空環境的破壞、光路和掩模版的污染，所以盡管KRS呈現出比MET-1K更高的分辨率，但依然未能廣泛應用于EUV光刻技術中。上述化學放大光刻膠基本沿用了KrF光刻膠的材料，隨著EUV光刻技術的不斷進展，舊材料已不能滿足需求。光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業與化工行業交叉的領域，是典型的技術密集行業。嘉定濕膜光刻膠樹脂

我國光刻膠行業起步較晚，生產能力主要集中在 PCB 光刻膠、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產品。浦東黑色光刻膠

從光刻設備角度來看，EUV光刻與其他波長光刻關鍵的兩點差異是光源強度和散粒噪聲。盡管有多種方式可獲得EUV光，商用EUV光刻機使用的是激光激發的等離子體（LPP）發光，其輸出功率曾長期是制約EUV光刻技術商用的瓶頸問題；另外，EUV光刻使用的是反射鏡成像系統，而非傳統的透過折射鏡片組，且效率不高。因此在EUV光刻發展的早期，通常都要求EUV光刻膠具有較高的靈敏度。同時，EUV光子能量（約為92eV）遠高于以前幾代光刻技術光源的光子能量（是193nm光子能量的14.4倍），也就是說，對于同樣的曝光能量，光子數目遠少于前幾代的光刻技術，這就導致散粒噪聲增加，從而造成線寬/線邊緣粗糙度的升高。而靈敏度過高并不利于克服散粒噪聲的影響，所以隨著EUV光源功率不斷提升，業界對EUV光刻膠的要求從“提高靈敏度”逐漸變為“利用一定程度的靈敏度來降低粗糙度”。浦東黑色光刻膠