相變材料(PCM)通過材料發生物態的變化(如融化、凝固等)來儲存及釋放能量,從而達到熱管理的目的。但是,相變材料在作為熱管理材料使用時有三個主要缺點:本征熱導率低、對光的吸收率低以及形狀穩定性差[6()_62]。因此,通常通過添加導熱填料來改善這些缺點,石墨烯由于具有高本征熱導率、高長徑比而經常被作為制備具有高性能相變復合材料的理想填料。在現階段研究中,石墨烯基相變復合材料在熱管理方向的應用主要分為光-熱轉換材料、熱-電轉換材料、電-熱轉換材料三種。玻纖增強復合材料戶外使用具有超長耐候性。無污染氧化石墨烯材料
石墨烯***發現是用膠帶一層層粘下來的。石墨烯的發現可以追溯到2004年,由英國曼徹斯特大學的安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫以及荷蘭的斯圖爾特·帕克共同發現。教授的發現源于對石墨材料進行的實驗。教授們采用了一種特殊的方法,使用膠帶將石墨片層層撕離,**終得到了非常薄的一層石墨片。通過對這層石墨片的觀察和研究,教授們發現這個材料具有非常特殊的性質。石墨烯是一種只有一個原子層厚度的二維碳材料,由碳原子以六角晶格結構排列組成。它具有一些非常獨特的性質,比如極高的電導率、優異的熱導率、強度高、柔韌性好等。這些特性使得石墨烯成為研究領域中的熱門材料,并在納米科技、電子學、能源存儲等眾多領域展現出巨大的潛力。蓋姆、諾沃肖洛夫和帕克因為對石墨烯的發現和研究做出的貢獻,于2010年被授予了諾貝爾物理學獎。教授們的工作奠定了石墨烯研究的基礎,并為未來的石墨烯應用開發打下了堅實的基礎。全國新型氧化石墨烯導熱氧化石墨烯結構跨越了一般化學和材料科學的典型尺度。
**近幾年,國內外在石墨烯基薄膜散熱方面取得了積極進展,接下來需要科學家和工業界一起努力,將石墨烯基薄膜應用在實際器件熱管理中。目前,國內外生產石墨烯基薄膜的機構超過20家。國內如哈爾濱工業大學杜善義院士團隊制備出三維石墨烯基散熱材料,由哈爾濱赫茲新材料科技有限公司投資1500萬元,年可生產石墨烯散熱片60萬片,實現產值3000萬元。東旭光電、廈門烯成石墨烯科技有限公司、深圳六碳科技有限公司、北京石墨烯散熱膜片研發有限責任公司、貴州新碳高科有限責任公司、常州富烯等在石墨烯導熱膜產業化方面也取得了積極進展。國外的如瑞典的斯瑪特高科技股份有限公司(SHT,SmartHighTechAB)在石墨烯導熱膜方面也有自己獨特的技術,據報道,SHT公司的石墨烯薄膜熱導率已超過現有石墨薄膜的熱導率。
石墨烯是碳材料家族的新成員,它是由碳原子以sp2雜化軌道組成的只具有一個原子層厚度的單層片狀結構材料。同碳納米管一樣,石墨烯也以其諸多優點而被廣泛的應用于儲能電池領域:(1)石墨烯具有極高的比表面積,其理論值高達2600m2/g[16],這使得石墨烯基復合電極有著很好的電解液相容性;(2)石墨烯的電導率遠超其他碳材料,以石墨烯為導電結構的復合電極材料可以發揮優異的倍率性能;(3)石墨烯衍生物如氧化石墨烯(GO)與還原氧化石墨烯(RGO)上含有的大量官能團與缺陷位可以作為多種金屬及金屬氧化物納米粒子的生長位點。這種由石墨烯矩陣組成的復合結構可以有效的抑制納米電極材料在充放電過程中的團聚現象及電極巨大的體積變化,從而增強電極材料的容量保持率與循環穩定性。導熱型石墨烯,外觀為黑色粉末。
隨著電子設備的功率密度越來越高,其熱管理己成為至關重要的問題。近年來,由于具有優異的導熱性和良好的機械強度,石墨烯薄膜被認為是用于電子器件中散熱材料(HDM)、熱界面材料(TIM)的理想選擇。0〇1^[5(^等人提出了一種改進的輥涂方法制備石墨薄膜,然后通過機械壓制、石墨化處理得到了大尺寸、高密度的高導熱石墨烯薄膜,由于具有高度有序、逐層堆疊的微觀結構以及幾乎沒有面內缺陷的石墨烯片,其面內導熱率比較高可達826.0Wnr1K4,并具有良好的熱穩定性和優異的柔韌性。由于其優異的性能,這種石墨烯薄膜在LED封裝中表現出出色的熱管理能力,并且能夠在高溫環境下工作,具有良好的應用前景。常州第六元素擁有石墨的深度插層和高解離率的制備技術。無污染氧化石墨烯導熱膜
常州第六元素制備石墨烯的方法簡單易行、環境友好。無污染氧化石墨烯材料
氧化石墨烯的研究熱潮也吸引了國內外材料植被研究的興趣,石墨烯材料的制備方法已報道的有:機械剝離法、化學氧化法、晶體外延生長法、化學氣相沉積法、有機合成法和碳納米管剝離法等。1、微機械剝離法2004年,Geim等***用微機械剝離法,成功地從高定向熱裂解石墨上剝離并觀測到單層石墨烯。Geim研究組利用這一方法成功制備了準二維石墨烯并觀測到其形貌,揭示了石墨烯二維晶體結構存在的原因。微機械剝離法可以制備出高質量石墨烯,但存在產率低和成本高的不足,不滿足工業化和規模化生產要求,目前只能作為實驗室小規模制備。2、化學氣相沉積法化學氣相沉積法(ChemicalVaporDeposition,CVD)***在規模化制備石墨烯的問題方面有了新的突破。CVD法是指反應物質在氣態條件下發生化學反應,生成固態物質沉積在加熱的固態基體表面,進而制得固體材料的工藝技術。麻省理工學院的Kong等、韓國成均館大學的Hong等和普渡大學的Chen等在利用CVD法制備石墨烯。他們使用的是一種以鎳為基片的管狀簡易沉積爐,通入含碳氣體,如:碳氫化合物,它在高溫下分解成碳原子沉積在鎳的表面,形成石墨烯,通過輕微的化學刻蝕,使石墨烯薄膜和鎳片分離得到石墨烯薄膜。無污染氧化石墨烯材料